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资料编号:29951
 
资料名称:1T379
 
文件大小: 47.81K
   
说明
 
介绍:
Silicon Variable Capacitance Diode for Electronic Tuning of BS and CS Tuners
 
 


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—2—
1T379
二极管 电容 vs. 反转 电压
f=1mhz ta=25°c
10.0
1.0
0.1
c-二极管 电容 (pf)
V
R
-反转 电压
1 10 100
二极管 电容 vs. 包围的 温度
二极管 电容
c (ta)
c (25°c)
ta-包围的 温度 (°c)
-20 0 20 40 60 80
1.03
1.02
1.01
1.00
0.99
0.98
热的 系数 的 二极管 电容
V
R
-反转 电压 (v)
热的 系数 的 二极管 电容 (ppm/°c)
1000
100
50
1 10
向前 电压 vs. 包围的 温度
V
F
-向前 电压 (v)
ta-包围的 温度 (°c)
0.90
0.86
0.82
0.78
0.74
0.70
-20 0 20 40 60
f=1MHz
V
R
=1V
V
R
=2V
V
R
=7V
V
R
=15V
V
R
=25V
I
F
=1mA
100
80
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