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资料编号:302828
 
资料名称:HY57V281620ET-H
 
文件大小: 126.51K
   
说明
 
介绍:
128Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
rev. 1.1 / jan. 2005 8
同步的 dram memory 128mbit (8mx16bit)
hy57v281620e(l)t(p) 序列
电容
(t
一个
= 0 至 70
o
C
, f=1mhz, v
DD
=3.3v)
直流 特性 i
(t
一个
= 0 至 70
o
C
)
便条:
1. v
= 0 至 3.3v, 所有 其它 balls 是 不 测试 下面 v
=0V
2. d
输出
是 无能, v
输出
=0 至 3.6
参数 管脚 标识 最小值 最大值 单位
输入 电容
CLK CI1 2.0 4.0 pF
a0 ~ a11, ba0, ba1, cke, cs
, ras, cas,
我们
, ldqm, udqm
CI2 2.5 5.0 pF
数据 输入 / 输出 capacitance dq0 ~ dq15 ci/o 3.0 5.5 pF
参数 标识 最小值 最大值 单位 便条
输入 泄漏 电流 I
LI
-1 1 uA 1
输出 泄漏 电流 I
LO
-1 1 uA 2
输出 高 电压 V
OH
2.4 - V ioh = -2ma
输出 低 电压 V
OL
- 0.4 V iol = +2ma
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