rev. 1.1 / jan. 2005 9
同步的 dram memory 128mbit (8mx16bit)
hy57v281620e(l)t(p) 序列
直流 特性 ii
(t
一个
= 0 至 70
o
C
)
便条:
1. i
DD1
和 i
DD4
取决于 在 输出 加载 和 循环 比率. 规格ified 值 是 量过的和 这 输出 打开
2. 最小值 的 trrc (refresh ras
循环 时间) 是 显示 在 交流 特性 ii
3. hy57v281620et(p) 序列:
正常的 电源
hy57v281620elt(p) 序列: 低 电源
参数
sym-
bol
测试 情况
速
单位 便条
5 6 7 H
运行 电流 I
DD1
burst 长度=1, 一个 bank 起作用的
t
RC
≥
t
RC
(最小值), i
OL
=0mA
120 110 100 100 毫安 1
precharge 备用物品 电流
在 电源 向下 模式
I
DD2P
CKE
≤
V
IL
(最大值), t
CK
= 15ns 2 毫安
I
DD2PS
CKE
≤
V
IL
(最大值), t
CK
=
∞
2mA
precharge 备用物品 电流
在 非 电源 向下 模式
I
DD2N
CKE
≥
V
IH
(最小值), cs
≥
V
IH
(最小值), t
CK
=
15ns
输入 信号 是 changed 一个 时间 dur-
ing 2clks.
所有 其它 管脚
≥
V
DD
-0.2v 或者
≤
0.2v
18
毫安
I
DD2NS
CKE
≥
V
IH
(最小值), t
CK
=
∞
输入 信号 是 稳固的.
15
起作用的 备用物品 电流
在 电源 向下 模式
I
DD3P
CKE
≤
V
IL
(最大值), t
CK
= 15ns 3
毫安
I
DD3PS
CKE
≤
V
IL
(最大值), t
CK
=
∞
3
起作用的 备用物品 电流
在 非 电源 向下 模式
I
DD3N
CKE
≥
V
IH
(最小值), cs
≥
V
IH
(最小值), t
CK
=
15ns
输入 信号 是 changed 一个 时间 dur-
ing 2clks.
所有 其它 管脚
≥
V
DD
-0.2v 或者
≤
0.2v
40
毫安
I
DD3NS
CKE
≥
V
IH
(最小值), t
CK
=
∞
输入 信号 是 稳固的.
35
burst 模式 运行 cur-
rent
I
DD4
t
CK
≥
t
CK
(最小值), i
OL
=0mA
所有 banks 起作用的
120 110 100 100 毫安 1
自动 refresh 电流 I
DD5
t
RC
≥
t
RC
(最小值), 所有 banks 起作用的 210 200 190 190 毫安 2
自 refresh 电流 I
DD6
CKE
≤
0.2v
正常的
2mA
3
低 电源
800 uA
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