6
数据 薄板
512 kbit / 1 mbit / 2 mbit / 4 mbit multi-目的 flash
sst39lf512 / sst39lf010 / sst39lf020 / sst39lf040
sst39vf512 / sst39vf010 / sst39vf020 / sst39vf040
©2001 硅 存储 技术, 公司 s71150-03-000 6/01 395
表格 2: P
在
D
ESCRIPTION
标识 管脚 名字 功能
一个
MS
1
-一个
0
地址 输入 至 提供 记忆 地址. 在 sector-擦掉 一个
MS
-一个
12
地址 线条 将 选择 这
sector. 在 块-擦掉 一个
MS
-一个
16
地址 线条 将 选择 这 块.
DQ
7
-dq
0
数据 输入/输出 至 输出 数据 在 读 循环 和 receive 输入 数据 在 写 循环.
数据 是 内部 latched 在 一个 写 循环.
这 输出 是 在 触发-状态 当 oe# 或者 ce# 是 高.
CE# 碎片 使能 至 活动 这 设备 当 ce# 是 低.
OE# 输出 使能 至 门 这 数据 输出 缓存区.
WE# 写 使能 至 控制 这 写 行动.
V
DD
电源 供应 至 提供 电源 供应 电压: 3.0-3.6v 为 sst39lf512/010/020/040
2.7-3.6v 为 sst39vf512/010/020/040
V
SS
地面
NC 非 连接 unconnected 管脚.
t2.1 395
1. 一个
MS
= 大多数 重大的 地址
一个
MS
= 一个
15
为 sst39lf/vf512, 一个
16
为 sst39lf/vf010, 一个
17
为 sst39lf/vf020, 和 一个
18
为 sst39lf/vf040
表格 3: O
PERATION
M
ODES
S
ELECTION
模式 CE# OE# WE# DQ 地址
读 V
IL
V
IL
V
IH
D
输出
一个
在
程序 V
IL
V
IH
V
IL
D
在
一个
在
擦掉 V
IL
V
IH
V
IL
X
1
1. x 能 是 v
IL
或者 v
IH
, 但是 非 其它 值.
sector 地址,
xxh 为 碎片-擦掉
备用物品 V
IH
xxhigh z X
写 inhibit X V
IL
xhigh z/ d
输出
X
XXV
IH
高 z/ d
输出
X
产品 identification
软件 模式 V
IL
V
IL
V
IH
看 表格 4
t3.4 395