2 Am29F040
任何 单独的 sector 是 典型地 erased 和 verified 在
1.0 秒 (如果 already 完全地 preprogrammed).
这个 设备 也 特性 一个 sector 擦掉 architecture.
这 sector 模式 准许 为 64k 字节 blocks 的 记忆
至 是 erased 和 reprogrammed 没有 影响
其它 blocks. 这 am29f040 是 erased 当 运输
从 这 工厂.
这 设备 特性 单独的 5.0 v 电源 供应 opera-
tion 为 两个都 读 和 写 功能. 内部 gener-
ated 和 管制 电压 是 提供 为 这
程序 和 擦掉 行动. 一个 低 v
CC
探测器
automatically inhibits 写 行动 在 这 丧失 的
电源. 这 终止 的 程序 或者 擦掉 是 发现 用 数据
polling 的 dq7 或者 用 这 toggle 位 特性 在 dq6.
once 这 终止 的 一个 程序 或者 擦掉 循环 有 被
完成, 这 设备 内部 resets 至 这 读
模式.
amd’s flash 技术 结合 年 的 非易失存储器
和 e
2
prom experience 至 生产 这 最高的 水平
的 质量, 可靠性 和 费用 成效. 这
am29f040 记忆 用电气 erases 这 全部 碎片
或者 所有 位 在里面 一个 sector 同时发生地 通过 fowler-
nordheim tunneling. 这 字节 是 编写程序 一个
字节 在 一个 时间 使用 这 非易失存储器 程序编制
mechanism 的 hot electron injection.
有伸缩性的 sector-擦掉 architecture
■
第八 64 kbyte sectors
■
单独的-sector, 多样的-sector, 或者 大(量)-擦掉
能力
■
单独的 或者 多样的-sector 保护 是 用户
definable
7FFFFh
6FFFFh
5FFFFh
64 kbytes 每 sector
4FFFFh
3FFFFh
2FFFFh
1FFFFh
0FFFFh
00000h
17113e-1
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