首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:307211
 
资料名称:F1005
 
文件大小: 37.97K
   
说明
 
介绍:
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
 
 


: 点此下载
  浏览型号F1005的Datasheet PDF文件第1页
1

2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
f-1005 f=175mhz; idq=0.8a; vds=28.0v
管脚 在 watts
0
20
40
60
80
100
120
0 2 4 6 8 10 12
POUT
8
9
10
11
12
13
14
15
16
增益
pout vs 管脚 图表
F1005
f1b 4die 电容
vds 在 伏特
10
100
1000
0 5 10 15 20 25 30
Crss
Coss
Ciss
f1b 4die iv 曲线
vds 在 伏特
0
5
10
15
20
25
30
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
vg = 2v vg = 4v vg = 6v vg = 8v vg = 10v vg = 12v
f1b 4 消逝 gm &放大; idvs vgs
vgs 在 伏特
0.1
1
10
100
0 2 4 6 8 10 12 14
Gm
Id
polyfet rf 设备
1110 avenida acaso, camarillo, ca 93012 电话:(805) 484-4210 fax:(805) 484-3393 email:sales@polyfet.com url:www.polyfet.com
电容 vs 电压
iv 曲线 id 和 gm vs vgs
s11 和 s22 smith chart 包装 维度 在 英寸
修订 8/1/97
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com