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资料编号:307215
 
资料名称:F1012
 
文件大小: 38.35K
   
说明
 
介绍:
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
 
 


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  浏览型号F1012的Datasheet PDF文件第1页
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
f1012 管脚 vs pout f=400mhz; idq=1.2a; vds=28v
管脚 在 watts
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
10
10.5
11
11.5
12
12.5
13
13.5
14
效率 = 55 %
pout vs 管脚 图表
F1012
f1b 3die 电容
vds 在 伏特
10
100
1000
0 5 10 15 20 25 30
Crss
Coss
Ciss
f1b 3die iv 曲线
vds 在 伏特
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
vg = 2v vg = 4v vg = 6v vg = 8v vg = 10v vg = 12v
f1b 3 消逝 gm &放大; idvsVG
vgs 在 伏特
0.1
1
10
100
0 2 4 6 8 10 12 14
Gm
Id
polyfet rf 设备
1110 avenida acaso, camarillo, ca 93012 电话:(805) 484-4210 fax:(805) 484-3393 email:sales@polyfet.com url:www.polyfet.com
电容 vs 电压
iv 曲线 id 和 gm vs vgs
s11 和 s22 smith chart 包装 维度 在 英寸
修订 8/1/97
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