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资料编号:307252
 
资料名称:F1001
 
文件大小: 37.36K
   
说明
 
介绍:
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
 
 


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  浏览型号F1001的Datasheet PDF文件第1页
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
f1001 pout vs 管脚 idq=0.1a; f=175 mhz vds=28v
管脚 在 watts
0
5
10
15
20
25
30
35
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
POUT 增益
效率 = 75%
pout vs 管脚 图表
F1001
f1b 1 消逝 电容 vs vds
vds 在 伏特
1
10
100
0 5 10 15 20 25 30
Crss
Coss
Ciss
f1b 1die iv 曲线
vds 在 伏特
0
1
2
3
4
5
6
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
vg = 2v vg = 4v vg = 6v vg = 8v vg = 10v vg = 12v
f1b 1 消逝 gm &放大; id vs vg
vgs 在 伏特
0.01
0.1
1
10
0 2 4 6 8 10 12 14
Gm
Id
polyfet rf 设备
1110 avenida acaso, camarillo, ca 93012 电话:(805) 484-4210 fax:(805) 484-3393 email:sales@polyfet.com url:www.polyfet.com
电容 vs 电压
iv 曲线 id 和 gm vs vgs
s11 和 s22 smith chart 包装 维度 在 英寸
修订 8/1/97
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