ref19x 序列
–14–
rev. d
薄脆饼 测试 限制
参数 标识 情况 限制 单位
最初的 精度
REF191 V
O
2.043/2.053 V
REF192 2.495/2.505 V
REF193 2.990/3.010 V
REF194 4.495/4.505 V
REF195 4.995/5.005 V
REF196 3.290/3.310 V
REF198 4.091/4.101 V
线条 规章制度
∆
V
O
/
∆
V
在
(v
O
+ 0.5 v) < v
在
< 15 v, i
输出
= 0 毫安 15 ppm/v
加载 规章制度
∆
V
O
/
∆
I
加载
0 毫安 < i
加载
< 30 毫安, v
在
= (v
O
+ 1.3 v) 15 ppm/毫安
落后 电压 V
O
– v+ I
加载
= 10 毫安 1.25 V
I
加载
= 30 毫安 1.55 V
睡眠 模式 输入
逻辑 输入 高 V
IH
2.4 V
逻辑 输入 低 V
IL
0.8 V
供应 电流 V
在
= 15 v 非 加载 45
µ
一个
睡眠 模式 非 加载 15
µ
一个
便条
为 恰当的 运作, 一个 1
µ
f 电容 是 必需的 在 这 输出 管脚 和 这 地 管脚 的 这 ref19x. 电的 tests 和 薄脆饼 探查 至 这 限制 显示. 预定的
至 变化 在 组装 方法 和 正常的 yield 丧失, yield 之后 包装 是 不 有保证的 为 标准 产品 dice. 咨询 工厂 至 negotiate 规格
为基础 在 dice lot qualifications 通过 样本 lot 组装 和 测试.
绝对 最大 比率
1
供应 电压. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v, +18 v
输出 至 地 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 v, v
S
+ 0.3 v
输出 至 地 短的-电路 持续时间 . . . . . . . . . . Indefinite
存储 温度 范围
p, s 包装. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65
°
c 至 +150
°
C
运行 温度 范围
REF19x . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40
°
c 至 +85
°
C
接合面 温度 范围
p, s 包装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65
°
c 至 +150
°
C
含铅的 温度 范围 (焊接 60 秒) . . . . . . . . +300
°
C
包装 类型
JA
2
JC
单位
8-含铅的 塑料 插件 (p) 103 43
°
c/w
8-含铅的 soic (s) 158 43
°
c/w
8-含铅的 tssop 240 43
°
c/w
注释
1
绝对 最大 比率 应用 至 两个都 dice 和 packaged 部分, 除非
否则 指出.
2
θ
JA
是 指定 为 worst 情况 情况, i.e.,
θ
JA
是 指定 为 设备 在 插座 为
p-插件, 和
θ
JA
是 指定 为 设备 焊接 在 电路 板 为 soic 包装.
dice 特性
输出
6
输出
6
4
地
3
睡眠
2
V+
ref19x 消逝 大小 0.041
×
0.057 inch, 2,337 sq. 毫英寸
基质 是 连接 至 v+, 号码 的 晶体管:
双极 25, mosfet4. 处理: cbcmos1
(@ i
加载
= 0 毫安, t
一个
= +25
°
c 除非 否则 指出)
提醒
静电释放 (静电的 释放) 敏感的 设备. 静电的 charges 作 高 作 4000 v readily
accumulate 在 这 人 身体 和 测试 设备 和 能 释放 没有 发现.
虽然 这 ref19x 特性 专卖的 静电释放 保护 电路系统, 永久的 损坏 将
出现 在 设备 subjected 至 高 活力 静电的 discharges. 因此, 恰当的 静电释放
预防措施 是 推荐 至 避免 效能 降级 或者 丧失 的 符合实际.
WARNING!
静电释放 敏感的 设备
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