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mrf19045lr3 mrf19045lsr3
motorola rf 设备 数据
这 rf 场效应晶体管 线条
rf 电源 地方 效应 晶体管
N-频道 增强-模式 lateral mosfets
设计 为 pcn 和 pcs 根基 station 产品 和 发生率 从
1.9 至 2.0 ghz. 合适的 为 tdma,cdma 和 multicarrier 放大器
产品.
•
典型 cdma 效能 @ 1960 mhz, 26 伏特, i
DQ
= 550 毫安
Multi-运输车 cdma 领航员, 同步, paging, 交通量 代号 8 通过 13
输出 电源 — 9.5 watts avg.
电源 增益 — 14.9 db
效率 — 23.5%
调整 频道 电源 —
885 khz:-50 dbc @ 30 khz bw
im3 —-37 dbc
•
100% 测试 下面 2-运输车 n-CDMA
•
内部 matched, 控制 q, 为 使容易 的 使用
•
高 增益, 高 效率 和 高 线性
•
整体的 静电释放 保护
•
设计 为 最大 增益 和 嵌入 阶段 flatness
•
有能力 的 处理 5:1 vswr, @ 26 vdc, 1.93 ghz, 45 watts cw
输出 电源
•
极好的 热的 稳固
•
典型 和 序列 相等的 大-信号 阻抗 参数
•
低 金 镀层 厚度 在 leads, 40
µ″
名义上的.
•
在 录音带 和 卷轴. r3 后缀 = 250 单位 每 32 mm, 13 inch 卷轴.
最大 比率
比率 标识 值 单位
流-源 电压 V
DSS
65 Vdc
门-源 电压 V
GS
-0.5, +15 Vdc
总的 设备 消耗 @ t
C
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
105
0.60
Watts
w/
°
C
存储 温度 范围 T
stg
- 65 至 +150
°
C
运行 接合面 温度 T
J
200
°
C
热的 特性
典型的 标识 值 (1) 单位
热的 阻抗, 接合面 至 情况 R
θ
JC
1.65
°
c/w
静电释放 保护 特性
测试 情况 类
人 身体 模型 2 (最小)
机器 模型 m3 (最小)
(1) 谈及 至 an1955/d,
热的 度量 methodology 的 rf 电源 放大器.
go 至 http://www.motorola.com/半导体/rf.
选择 必备资料/应用 注释-an1955.
便条 -
提醒
-mos 设备 是 敏感 至 损坏 从 静电的 承担. 合理的 预防措施 在 处理 和
包装 mos 设备 应当 是 observed.
顺序 这个 文档
用 mrf19045/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MRF19045LR3
MRF19045LSR3
1990 mhz, 45 w, 26 v
lateral n-频道
rf 电源 mosfets
情况 465e-04, 样式 1
NI-400
MRF19045LR3
情况 465f-04, 样式 1
NI-400S
MRF19045LSR3
motorola, 公司 2004
rev. 6
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freescale 半导体, 公司
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