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资料编号:308069
 
资料名称:MRF19045LR3
 
文件大小: 569.45K
   
说明
 
介绍:
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
 
 


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3
mrf19045lr3 mrf19045lsr3
motorola rf 设备 数据
图示 1. 1930 -1990 mhz 2-运输车 n-cdma 测试 电路 图式
RF
输出
Z3
Z4
C6
C1 R1C3
+
C7
C5
C8
C2
Z6
Z7
V
DD
C12
C10
Z11
C9
Z8
C11
+
Z8 0.216
x 0.047
Microstrip
Z9 0.519
x 0.254
Microstrip
Z10 0.874
x 0.081
Microstrip
Z11 0.645
x 0.081
Microstrip
PCB arlon gx0300-55-22, 30 毫英寸,
ε
r
= 2.55
Z1 1.336
x 0.081
Microstrip
Z2 0.693
x 0.081
Microstrip
Z3 1.033
x 0.047
Microstrip
Z4 0.468
x 0.047
Microstrip
Z5 0.271
x 0.460
Microstrip
Z6 0.263
x 0.930
Microstrip
Z7 1.165
x 0.047
Microstrip
便条: z3, z4, z7, z8 长度 和 组件 placement 容忍 是
±
0.050
.
zx 长度 是 microstrip 长度 在 组件, 中心-线条 至 中心-线条.
所有 组件 和 z-长度 容忍 是
±
0.015
, 除了 作 指出.
++
V
GG
RF
输入
Z1 Z2 Z5
W2
R4
+
Z9 Z10
C13
B2
R5
B2W1
R3
B1
R2
C4
表格 1. 1930-1990 mhz 2-运输车 n-cdma 测试 电路 组件 designations 和 值
Designators 描述
b1, b2 0.120
x 0.333
x 0.100
, 表面 挂载 ferrite beads, fair rite #2743019446
c1, c2
10
f, 35 v tantalum 表面 挂载 碎片 电容, kemet #t495x106k035as4394
c3, c11
0.1
f 碎片 电容, kemet #cdr33bx104akws
c4, c8 24 pf 碎片 电容, b 情况, atc #100b240jp500x
C5 470 pf 碎片 电容, b 情况, atc #100b471jp200x
c6, c7 11 pf 碎片 电容, b 情况, atc #100b110jp500x
c9, c10, c12
22
f, 35 v tantalum 表面 挂载 碎片 电容, kemet #t491x226k035as4394
C13 8.2 pf 碎片 电容, b 情况, atc #100b8r2cp500x
R1 560 k
, 1/4 w 碎片 电阻 (0.08
x 0.13
)
r2, r3, r4, r5 8.2
, 1/4 w 碎片 电阻器 (0.08
x 0.13
), garrett 器械 #rm73b2b110jt
w1, w2 固体的 铜 buss 线, 16 awg
ws1, ws2 beryllium 铜 wear blocks (0.005
x 0.150
x 0.350
) 名义上的
F
r
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一个
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S
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c
.
.
.
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