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资料编号:308069
 
资料名称:MRF19045LR3
 
文件大小: 569.45K
   
说明
 
介绍:
RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
 
 


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mrf19045lr3 mrf19045lsr3
6
motorola rf 设备 数据
典型 特性
图示 9. cw 二-声调 电源 增益, imd 和
流 效率 相比 输出 电源
图示 10. cw 二-声调 电源 增益, 输入 返回 丧失,
imd 和 流 效率 相比 频率
图示 11. cw 二-声调 交调 扭曲量
相比 输出 电源
f, 频率 (mhz)
图示 12. cw 二-声调 电源 增益 相比
输出 电源
P
输出
, 输出 电源 (watts pep)
图示 13. cw 二-声调 交调 扭曲量 产品
相比 输出 电源
P
输出
, 输出 电源 (watts pep)
G
ps
, 电源 增益 (db)
, 流 效率 (%),
η
G
ps
, 电源 增益 (db)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.1 1.0 10 100
−65
−60
−55
−50
−45
−40
−35
−30
−25
5
10
15
20
25
30
35
40
1900 1930 1960 1990 2020
−35
−30
−25
−20
−15
−10
−5
0
G
ps
η
IRL
IMD
−70
−65
−60
−55
−50
−45
−40
−35
−30
−25
0.1 1.0 10 100
13.0
13.5
14.0
14.5
15.0
15.5
16.0
0.1 1.0 10 100
−90
−80
−70
−60
−50
−40
−30
−20
0.1 1.0 10 100
P
输出
, 输出 电源 (watts pep)
P
输出
, 输出 电源 (watts pep)
, 流 效率 (%),
η
G
ps
, 电源 增益 (db)
imd,交调 扭曲量 (dbc), irl (db)
imd, 交调 扭曲量 (dbc)
G
ps
η
IMD
350 毫安
450 毫安
700 毫安
550 毫安
V
DD
= 26 vdc
I
DQ
= 450 毫安
100 khz 声调 间隔
350 毫安
450 毫安
700 毫安
550 毫安
3rd 顺序
5th 顺序
7th 顺序
V
DD
= 26 vdc
I
DQ
= 450 毫安
f1 = 1960 mhz, f2 = 1960.1 mhz
V
DD
= 26 vdc
f1 = 1960 mhz, f2 = 1960.1 mhz
V
DD
= 26 vdc
I
DQ
= 450 毫安
f1 = 1960 mhz, f2 = 1960.1 mhz
V
DD
= 26 vdc
f1 = 1960 mhz, f2 = 1960.1 mhz
acpr @ 30 khz
整体的 bw
+acpr @ 30 khz
整体的 bw
im3 @
1.2288 mhz
整体的 bw
图示 14. 2-运输车 n-cdma spectrum
f, 频率 (mhz)
−110
120
−70
−20
−80
−50
(dbc)
−90
100
−40
−30
−60
+im3 @
1.2288 mhz
整体的 bw
1.2288 mhz
频道 bw
imd, 交调 扭曲量 (dbc)
imd, 交调 扭曲量 (dbc)
F
r
e
e
s
c
一个
l
e
S
e
m
i
c
o
n
d
u
c
t
o
r
,
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n
c
.
.
.
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