flash 记忆
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SAMSUNG
K9f1g08q0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0 k9f1g16q0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0
k9f1g08u0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0 k9f1g16u0m-ycb0,yib0,pcb0,pib0
k9f1g08u0m-vcb0,vib0,fcb0,fib0
1k words 32 words
图示 1-2. k9f1g16x0m (x16) 函数的 块 图解
图示 2-2. k9f1g16x0m (x16) 排列 organization
便条
: column 地址 : 开始 地址 的 这 寄存器.
* l 必须 是 设置 至 "低".
i/o 0 i/o 1 i/o 2 i/o 3 i/o 4 i/o 5 i/o 6 i/o 7 i/o8 ~ 15
1st 循环 一个0 一个1 一个2 一个3 一个4 一个5 一个6 一个7 *L
2nd 循环 一个8 一个9 一个10 *L *L *L *L *L *L
3rd 循环 一个11 一个12 一个13 一个14 一个15 一个16 一个17 一个18 *L
4th 循环 一个19 一个20 一个21 一个22 一个23 一个24 一个25 一个26 *L
VCC
x-缓存区
Command
i/o 缓存区 &放大; latches
Latches
&放大; decoders
y-缓存区
Latches
&放大; decoders
寄存器
控制 逻辑
&放大; 高 电压
发生器
global 缓存区
输出
驱动器
VSS
一个11- 一个26
一个0- 一个10
Command
CE
RE
我们
CLE
WP
i/0 0
i/0 15
VCC
VSS
64k 页
(=1,024 blocks)
1k words
16 位
32 words
1 块 = 64 页
(64k + 2k) 文字
i/o 0 ~ i/o 15
1 页 = (1k + 32)words
1 块 = (1k + 32)文字 x 64 页
= (64k + 2k) words
1 设备 = (1k+32)文字 x 64pages x 1024 blocks
= 1056 mbits
行 地址
页 寄存器
ale 前
1024m + 32m 位
与非 flash
排列
(512 + 64)文字 x 65536
y-gating
cache 寄存器
行 地址
column 地址
column 地址
数据 寄存器 &放大; s/一个
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