rf 特性 ( watts 输出 )7.5
一般 描述
硅 vdmos 和 ldmos
晶体管 设计 specifically
为 broadband rf 产品.
合适的 为 军队 收音机,
cellular 和 paging 放大器 根基
stations, broadcast fm/am, mri,
激光器 驱动器 和 其他.
专利的 金 metalized
7.5Watts 单独的 结束
包装 样式 AP
高 效率, 直线的,
绝对 最大 比率 (tc = 25 c)
o
总的
设备
接合面 至
情况 热的
最大
接合面
存储
温度
直流 流
电流
流 至
门
流 至
源
门 至
源
40 Watts 5
C
o
200 -65 至 150
2.4 一个
30V
VV70 70
电的 特性 (各自 一侧)
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
Gps
η
VSWR
一般 源 电源 gai
流 效率
加载 mismatch toleranc
dB
%
相关的
10
45
0.6
20:1
idq =
idq =
idq =
0.6
0.6
一个,
一个,
一个,
28.0vds = v,
28.0vds = v,
28.0vds = v,
f = 1000 MHz
f = 1000 MHz
f = 1000 MHz
Bvdss
Idss
Igss
Vgs
gM
Rdson
Idsat
Ciss
Crss
Coss
流 损坏 voltag
零 偏差 流 curren
门 泄漏 curren
门 偏差 为 流 curren
向前 transconductanc
饱和 resistanc
饱和 curren
一般 源 输入 capacitanc
一般 源 反馈 capacitanc
一般 源 输出 capacitanc
65
0.6
1
71
0.6
1.4
3.6
27
3
18
Mho
Ohm
放大
pF
V
V
pF
pF
毫安
uA
0.03ids = 一个,
vgs = 0v
28.0vds = v, vgs = 0v
vds = 0 v, vgs = 30v
0.06ids = 一个, vgs = vds
vds = 10v, vgs = 5v
vgs = 20v, ids = 3
vgs = 20v, vds = 10v
28.0vds = v, vgs = 0v, f = 1 mhz
一个
28.0vds = v, vgs = 0v, f = 1 mhz
28.0vds = v, vgs = 0v, f = 1 mhz
polyfet rf 设备
1110 avenida acaso, camarillo, ca 93012 电话:(805) 484-4210 fax:(805) 484-3393 email:sales@polyfet.com url:www.polyfet.com
修订
硅 门 增强 模式
rf poWER
高 增益, low 噪音
"polyfet" 处理 特性
金 metal 为 非常 扩展
存在期. 低 输出 电容
和 高 f 增强 broadband
效能
t
TM
C
o
C
o
c/w
o
F2021
polyfet rf 设备
消耗 阻抗 温度 电压 电压 电压
8/1/97
VDMOS 晶体管
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