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资料编号:309311
 
资料名称:F2021
 
文件大小: 37.6K
   
说明
 
介绍:
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR 
 
 


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  浏览型号F2021的Datasheet PDF文件第1页
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
f2021 pout vs 管脚 freq = 1000 mhz, idq = 0.6a; vds=28v
管脚 在 watts
0
2
4
6
8
10
12
14
0 0.5 1 1.5 2 2.5
POUT
7
7.5
8
8.5
9
9.5
10
10.5
11
11.5
增益
效率= 35%
pout vs 管脚 图表
F2021
f2a 3 消逝 电容 vs vds
vds 在 伏特
1
10
100
0 5 10 15 20 25 30
Crss
Coss
Ciss
f2a 3 消逝 iv 曲线
vds 在 伏特
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
vgs = 2v vgs = 4v vgs = 6v vgs = 8v vgs = 10v vgs 12v
f2a 3 消逝 gm &放大; idvs vgs
vgs 在 伏特
0.01
0.1
1
10
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18
Gm
Id
polyfet rf 设备
1110 avenida acaso, camarillo, ca 93012 电话:(805) 484-4210 fax:(805) 484-3393 email:sales@polyfet.com url:www.polyfet.com
电容 vs 电压
iv 曲线 id 和 gm vs vgs
s11 和 s22 smith chart 包装 维度 在 英寸
修订 8/1/97
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