january 1995 9
飞利浦 半导体 产品 规格
256-位, 1-位 每 文字 随机的 进入 memories
HEF4720B
HEF4720V
应用 信息
extension 的 记忆 capacity
这 记忆 capacity 的 这 hef4720b; v 是 256 位 (或者
256 words 的 1 位). 这 capacity 的 一个 系统 能 是
扩展 在 各种各样的 方法 用 这 连接 的 更远
hef4720b; v ics.
扩展 这 文字 长度
用 连接 一个 号码 的 hef4720b; v ics 作 显示 在
图.6, 这 文字 长度 (i.e. 位 每 文字) 是 multiplied 用
那 号码. 那 是, 各自 设备 stores 1 位 每 文字 但是
这 总的 号码 的 words 仍然是 256. 为 例子, 如果
四 设备 是 使用 在 这个 方法, 256 四-二进制的-位 words
能 是 贮存.
扩展 这 号码 的 words
如果 一个 号码 的 hef4720b; v ics 是 连接 作 显示
在 图.7, 这 words 有 是 multiplied 用 那 号码,
但是 这 文字 长度 仍然是 1 位. 注意 那 在 这个 情况
额外的 地址 是 使用 在 conjunction 和 这
CS 输入. 在 这 情况 显示 在 图.7 (4
×
hef4720b; v 在
并行的), 这 地址 和 数据 输入 是 承载 和
四 输入 (= 20 pf), 这 CS 输入 是 承载 和 一个
输入 各自.
扩展 两个都 这 文字 长度 和 号码 的 words
图示 8 显示 如何 一个 结合体 的 这 extensions
描述 在之上 能 是 使用 至 获得 两个都 更好 文字
长度 和 额外的 words. 它 是 clear 那 这 电容的
加载 的 这 驱动 电路 puts 一个 限制 至 这 自由 选择 的
这 接口. 在 图.8, 各自 地址 是 承载 和 16
输入, i.e. 16
×
5 = 80 pf: 各自 cs 反相器 是 承载 和
8 输入, i.e. 8
×
5 = 40 pf. 这 数据 反相器 在 这个 情况
是 承载 和 仅有的 二 输入 各自.
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