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资料编号:314547
 
资料名称:IRF530A
 
文件大小: 254.86K
   
说明
 
介绍:
Advanced Power MOSFET
 
 


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电源 场效应晶体管
图 1. 输出 特性 图 2. 转移 特性
图 6. 门 承担 vs. 门-源 电压图 5. 电容 vs. 流-源 电压
图 4. 源-流 二极管 向前 电压图 3. 在-阻抗 vs. 流 电流
IRF530A
10
-1
10
0
10
1
10
0
10
1
@ 注释 :
1. 250
µ
s 脉冲波 测试
2. t
C
= 25
o
C
V
GS
顶 :1 5 v
10 v
8.0 v
7.0 v
6.0 v
5.5 v
5.0 v
bottom : 4.5 v
I
D
, 流 电流 [a]
V
DS
, 流-源 电压 [v]
2 4 6 8 10
10
-1
10
0
10
1
25
o
C
175
o
C
- 55
o
C
@ 注释 :
1. v
GS
= 0 v
2. v
DS
= 40 v
3. 250
µ
s 脉冲波 测试
I
D
, 流 电流 [a]
V
GS
, 门-源 电压 [v]
0 15 30 45 60
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
@ 便条 : t
J
= 25
o
C
V
GS
= 20 v
V
GS
= 10 v
R
ds(在)
, [
]
流-源 在-阻抗
I
D
, 流 电流 [a]
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2
10
-1
10
0
10
1
175
o
C
25
o
C
@ 注释 :
1. v
GS
= 0 v
2. 250
µ
s 脉冲波 测试
I
DR
, 反转 流 电流 [a]
V
SD
, 源-流 电压 [v]
10
0
10
1
0
250
500
750
1000
C
iss
= c
gs
+ c
gd
( C
ds
= 短接 )
C
oss
= c
ds
+ c
gd
C
rss
= c
gd
@ 注释 :
1. v
GS
= 0 v
2. f = 1 mhz
C
rss
C
oss
C
iss
电容 [pf]
V
DS
, 流-源 电压 [v]
0 5 10 15 20 25 30
0
5
10
V
DS
= 80 v
V
DS
= 50 v
V
DS
= 20 v
@ 注释 : i
D
= 14.0 一个
V
GS
, 门-源 电压 [v]
Q
G
, 总的 门 承担 [nc]
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