2
atf-54143 绝对 最大 比率
[1]
绝对
标识 参数 单位 最大
V
DS
流 - 源 电压
[2]
V5
V
GS
门 - 源 电压
[2]
V -5 至 1
V
GD
门 流 电压
[2]
V5
I
DS
流 电流
[2]
毫安 120
P
diss
总的 电源 消耗
[3]
mW 360
P
在 最大值
rf 输入 电源 dBm 10
[5]
I
GS
门 源 电流 毫安 2
[5]
T
CH
频道 温度
°
C 150
T
STG
存储 温度
°
C -65 至 150
θ
jc
热的 阻抗
[4]
°
c/w 162
注释:
1. 运作 的 这个 设备 在 excess 的 任何 一个
的 这些 参数 将 导致 永久的
损坏.
2. 假设 直流 安静的 情况.
3. 源 含铅的 温度 是 25
°
c. 减额
6 mw/
°
c 为 t
L
> 92
°
c.
4. 热的 阻抗 量过的 使用
150
°
C liquid 结晶 度量 方法.
5. 这 设备 能 handle +10 dbm rf 输入
电源 提供 i
GS
是 限制 至 2 毫安. i
GS
在
P
1dB
驱动 水平的 是 偏差 电路 依赖. 看
应用 部分 为 额外的 信息.
产品 consistency 分发 charts
[6, 7]
V
DS
(v)
图示 1. 典型 i-v 曲线.
(v
GS
= 0.1 v 每 步伐)
I
DS
(毫安)
0.4v
0.5v
0.6v
0.7v
0.3v
02146537
120
100
80
60
40
20
0
oip3 (dbm)
图示 2. oip3 @ 2 ghz, 3 v, 60 毫安.
lsl = 33.0, 名义上的 = 36.575
30 3432 38 4036 42
160
120
80
40
0
cpk = 0.77
stdev = 1.41
-3 标准
增益 (db)
图示 3. 增益 @ 2 ghz, 3 v, 60 毫安.
usl = 18.5, lsl = 15, 名义上的 = 16.6
14 1615 1817 19
200
160
120
80
40
0
cpk = 1.35
stdev = 0.4
-3 标准
+3 标准
nf (db)
图示 4. nf @ 2 ghz, 3 v, 60 毫安.
usl = 0.9, 名义上的 = 0.49
0.25 0.650.45 0.85 1.05
160
120
80
40
0
cpk = 1.67
stdev = 0.073
+3 标准
注释:
6. 分发 数据 样本 大小 是 450 样本 带去 从 9 不同的 wafers. future wafers allocated 至 这个 产品 将 有 名义上的 值 anywhere
在 这 upper 和 更小的 限制.
7. 度量 制造 在 生产 测试 板. 这个 电路 代表 一个 trade-止 在 一个 最优的 噪音 相一致 和 一个 realizeable 相一致 为基础 在
生产 测试 设备. circut losses 有 被 de-embeaded 从 真实的 度量.
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