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06/08/05
IRF6646
DirectFET
™
电源 场效应晶体管
DirectFET
™
ISOMETRIC
MN
适用 directfet 外形 和 基质 外形 (看 p.7,8 为 详细信息)
图 1.
典型 在-阻抗 vs. 门 电压
典型 值 (除非 否则 指定)
描述
这 irf6646 结合 这 最新的 hexfet® 电源 场效应晶体管 硅 技术 和 这 先进的 directfet
TM
包装 至 达到 这
最低 在-状态 阻抗 在 一个 包装 那 有 这 footprint 的 一个 所以-8 和 仅有的 0.7 mm profile. 这 directfet 包装 是 兼容 和
存在 布局 geometries 使用 在 电源 产品, pcb 组装 设备 和 vapor 阶段, infra-red 或者 convection 焊接 技巧,
当 应用 便条 一个-1035 是 followed 关于 这 制造 方法 和 处理. 这 directfet 包装 准许 双sided
冷却 至 maximize 热的 转移 在 电源 系统, improving previous 最好的 热的 阻抗 用 80%.
这 irf6646 是 优化 为 primary 一侧 桥 topologies 在 分开的 直流-直流 产品, 为 宽 范围 普遍的 输入 电信 产品
(36v - 75v), 和 为 secondary 一侧 同步的 整流 在 管制 直流-直流 topologies. 这 减少 总的 losses 在 这 设备 结合
和 这 高 水平的 的 热的 效能 使能 高 效率 和 低 温度, 这个 是 关键 为 系统 可靠性 improvements,
和 制造 这个 设备 完美的 为 高 效能 分开的 直流-直流 转换器.
SQ SX ST MQ MX MT
MN
rohs 一致的 containing 非 含铅的 或者 bromide
低 profile (<0.7 mm)
双 sided 冷却 兼容
过激 低 包装 电感
优化 为 高 频率 切换
完美的 为 高 效能 分开的 转换器
primary 转变 插座
优化 为 同步的 整流
低 传导 losses
兼容 和 存在 表面 挂载 技巧
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click 在 这个 部分 至 link 至 这 directfet 网站.
表面 挂载 在 1 在. 正方形的 cu 板, 稳步的 状态.
T
C
量过的 和 thermocouple 挂载 至 顶 (流) 的 部分.
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用 最大值 接合面 温度.
开始 t
J
= 25°c, l = 8.8mh, r
G
= 25
Ω
, i
作
= 7.2a.
注释:
绝对 最大 ratings
参数 单位
V
DS
流-至-源 电压 V
V
GS
门-至-源 电压
I
D
@ t
一个
= 25°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
I
D
@ t
一个
= 70°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
一个
I
D
@ t
C
= 25°c
持续的 流 电流, v
GS
@ 10v
I
DM
搏动 流 电流
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
mJ
I
AR
avalanche 电流
一个
230
最大值
9.6
68
96
±20
80
12
7.2
V
DSS
V
GS
R
ds(在)
80v 最大值 ±20v 最大值
7.6m
Ω
@ 10v
Q
g tot
Q
gd
V
gs(th)
36nC 12nC 3.8v
4 6 8 10 12 14 16
V
gs,
门 -至 -源 电压 (v)
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
T
y
p
i
c
一个
l
R
D
S
(
o
n
)
(
Ω
)
I
D
= 6.2a
T
J
= 25°c
T
J
= 125°c
图 2.
典型 总的 门 承担 vs. 门-至-源
电压
0 10203040
Q
G
总的 门 承担 (nc)
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
V
G
S
,
G
一个
t
e
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
V
o
l
t
一个
g
e
(
V
)
V
DS
= 40v
V
DS
= 16v
I
D
= 7.2a
pd - 96995a
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