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资料编号:316174
 
资料名称:IRF6646
 
文件大小: 245.72K
   
说明
 
介绍:
DirectFET Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF6646
2 www.irf.com
注释:
脉冲波 宽度
400µs; 职责 循环
2%.
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用 最大值 接合面 温度.
thermally 限制 和 使用 r
θ
ja
至 计算.
静态的 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
参数 最小值 典型值 最大值 单位
BV
DSS
流-至-源 损坏 电压 80 ––– ––– V
∆Β
V
DSS
/
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– 0.10 ––– v/°c
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗 ––– 7.6 9.5
m
V
gs(th)
门 门槛 电压 2.8 ––– 4.8 V
V
gs(th)
/
T
J
门 门槛 电压 系数 ––– -11 ––– mv/°c
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流 ––– ––– 20 µA
––– ––– 250
I
GSS
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– 100 nA
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– -100
gfs 向前 跨导 17 ––– ––– S
Q
g
总的 门 承担 ––– 36 50
Q
gs1
前-vth 门-至-源 承担 ––– 7.6 –––
Q
gs2
邮递-vth 门-至-源 承担 ––– 2.0 ––– nC
Q
gd
门-至-流 承担 ––– 12
Q
godr
门 承担 overdrive ––– 14 ––– 看 图. 17
Q
sw
转变 承担 (q
gs2
+ q
gd
)
––– 14 –––
Q
oss
输出 承担 ––– 18 ––– nC
R
G
门 阻抗
–––
1.0 –––
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 17 –––
t
r
上升 时间 ––– 20 –––
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 31 ––– ns
t
f
下降 时间 ––– 12 –––
C
iss
输入 电容 ––– 2060 –––
C
oss
输出 电容 ––– 480 ––– pF
C
rss
反转 转移 电容 ––– 120 –––
C
oss
输出 电容 ––– 2180 –––
C
oss
输出 电容 ––– 310 –––
二极管 特性
参数 最小值 典型值 最大值 单位
I
S
持续的 源 电流 ––– ––– 2.5
(身体 二极管) 一个
I
SM
搏动 源 电流 ––– ––– 96
(身体 二极管)
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– 1.3 V
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 36 54 ns
Q
rr
反转 恢复 承担 ––– 48 72 nC
I
D
= 7.2a
V
DS
= 64v, v
GS
= 0v, t
J
= 125°c
V
GS
= 20v
V
GS
= -20v
V
GS
= 10v
V
DS
= 10v, i
D
= 7.2a
V
DS
= 40v
T
J
= 25°c, i
F
= 7.2a, v
DD
= 40v
di/dt = 100a/µs
T
J
= 25°c, i
S
= 7.2a, v
GS
= 0v
表明 这
integral 反转
p-n 接合面 二极管.
V
DS
= v
GS
, i
D
= 150µa
V
DS
= 80v, v
GS
= 0v
情况
V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
V
GS
= 10v, i
D
= 12a
V
DS
= 16v, v
GS
= 0v
V
DD
= 40v, v
GS
= 10v
V
GS
= 0v
ƒ = 1.0mhz
I
D
= 7.2a
场效应晶体管 标识
R
G
=6.2
V
DS
= 25v
情况
V
GS
= 0v, v
DS
= 64v, f=1.0mhz
V
GS
= 0v, v
DS
= 1.0v, f=1.0mhz
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