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资料编号:316174
 
资料名称:IRF6646
 
文件大小: 245.72K
   
说明
 
介绍:
DirectFET Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF6646
www.irf.com 3
图 3.
最大 有效的 瞬时 热的 阻抗, 接合面-至-包围的
表面 挂载 在 1 在. 正方形的 cu
板 (安静的 空气).
挂载 在 最小
footprint 全部 大小 板 和
metalized 后面的 和 和 小
clip 散热器 (安静的 空气)
挂载 至 一个 pcb 和
小 clip 散热器 (安静的 空气)
表面 挂载 在 1 在. 正方形的 cu 板, 稳步的 状态.
使用 翻倍 sided 冷却 , 挂载 垫子.
挂载 在 最小 footprint 全部 大小 板 和 metalized
后面的 和 和 小 clip 散热器.
注释:
T
C
量过的 和 thermocouple incontact 和 顶 (流) 的 部分.
R
θ
是 量过的 在
T
J
的 大概 90°c.
1e-006 1e-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100
t
1
, rectangular 脉冲波 持续时间 (秒)
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T
h
e
r
m
一个
l
R
e
s
p
o
n
s
e
(
Z
t
h
J
一个
)
0.20
0.10
d = 0.50
0.02
0.01
0.05
单独的 脉冲波
( 热的 回馈 )
注释:
1. 职责 因素 d = t1/t2
2. 顶峰 tj = p dm x zthja + tc
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
Ci i
/
Ri
Ci=
τ
i
/
Ri
τ
τ
C
τ
4
τ
4
R
4
R
4
ri (°c/w)
τ
i (秒)
0.678449 0.00086
17.29903 0.57756
17.56647 8.94
9.470128 106
绝对 最大 ratings
参数 单位
P
D
@T
一个
= 25°c
电源 消耗
W
P
D
@T
一个
= 70°c
电源 消耗
P
D
@T
C
= 25°c
电源 消耗
T
P
顶峰 焊接 温度 °C
T
J
运行 接合面 和
T
STG
存储 温度 范围
热的 阻抗
参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JA
接合面-至-包围的

––– 45
R
θ
JA
接合面-至-包围的

12.5 –––
R
θ
JA
接合面-至-包围的

20 ––– °c/w
R
θ
JC
接合面-至-情况

––– 1.4
R
θ
j-pcb
接合面-至-pcb 挂载 1.0 –––
2.8
1.8
270
-40 至 + 150
最大值
89
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