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资料编号:316175
 
资料名称:IRF6648
 
文件大小: 266.48K
   
说明
 
介绍:
DirectFET Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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www.irf.com 5
图 11.
典型 门槛 电压 vs.
接合面 温度
图 10.
典型 源-流 二极管 向前 电压
图 13.
最大 avalanche 活力 vs. 流 电流
fig12.
最大 safe 运行 范围
图 8.
典型 在-阻抗 vs. 门 电压
图 9.
典型 在-阻抗 vs. 流 电流
4 6 8 10 12 14 16
V
gs,
门 -至 -源 电压 (v)
0
10
20
30
40
50
60
R
D
S
(
o
n
)
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
O
n
R
e
s
i
s
t
一个
n
c
e
(
m
)
I
D
= 17a
T
J
= 25°c
T
J
= 125°c
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
V
SD
, 源-至-流 电压 (v)
0
1
10
100
1000
I
S
D
,
R
e
v
e
r
s
e
D
r
一个
i
n
C
u
r
r
e
n
t
(
一个
)
T
J
= 150°c
T
J
= 25°c
T
J
= -40°c
V
GS
= 0v
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
, 温度 ( °c )
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
T
y
p
i
c
一个
l
V
G
S
(
t
h
)
,
G
一个
t
e
t
h
r
e
s
h
o
l
d
V
o
l
t
一个
g
e
(
V
)
I
D
= 150µa
I
D
= 250µa
I
D
= 1.0ma
I
D
= 1.0a
25 50 75 100 125 150
开始 t
J
, 接合面 温度 (°c)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
E
一个
S
,
S
i
n
g
l
e
P
u
l
s
e
一个
v
一个
l
一个
n
c
h
e
E
n
e
r
g
y
(
m
J
)
I
D
12A
18A
BOTTOM 34A
0 1 10 100
V
DS
, 流-至-源 电压 (v)
0.1
1
10
100
1000
I
D
,
D
r
一个
i
n
-
t
o
-
S
o
u
r
c
e
C
u
r
r
e
n
t
(
一个
)
运作 在 这个 范围
限制 用 r
DS
(在)
tc = 25°c
tj = 150°c
单独的 脉冲波
100µsec
1msec
10msec
0 20 40 60 80 100
I
D
, 流 电流 (一个)
0
5
10
15
20
25
30
T
y
p
i
c
一个
l
R
D
S
(
o
n
)
(
m
)
T
J
= 25°c
vgs = 7.0v
vgs = 8.0v
vgs = 10v
vgs = 15v
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