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资料编号:316250
 
资料名称:IRF6604
 
文件大小: 206.18K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

2 www.irf.com
S
D
G
静态的 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
参数 最小值 典型值 最大值 单位
BV
DSS
流-至-源 损坏 电压 30 ––– ––– V
∆Β
V
DSS
/
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– 27 ––– mv/°c
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗 ––– 9.0 11.5
m
––– 10 13
V
gs(th)
门 门槛 电压 1.0 ––– 3.0 V
V
gs(th)
/
T
J
门 门槛 电压 系数 ––– -4.5 ––– mv/°c
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流 ––– ––– 30 µA
––– ––– 100
I
GSS
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– 100 nA
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– -100
gfs 向前 跨导 38 ––– ––– S
Q
g
总的 门 承担 ––– 17 26
Q
gs1
前-vth 门-至-源 承担 ––– 4.1 –––
Q
gs2
邮递-vth 门-至-源 承担 ––– 1.0 ––– nC
Q
gd
门-至-流 承担 ––– 6.3 –––
Q
godr
门 承担 overdrive ––– 5.6 ––– 看 图. 16
Q
sw
转变 charge (q
gs2
+ q
gd
)
––– 7.3 –––
Q
oss
输出 承担 ––– 9.5 ––– nC
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 11 –––
t
r
上升 时间 ––– 4.3 –––
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 18 ––– ns
t
f
下降 时间 ––– 25 –––
C
iss
输入 电容 ––– 2270 –––
C
oss
输出 电容 ––– 420 ––– pF
C
rss
反转 转移 电容 ––– 190 –––
avalanche 特性
参数 单位
E
Single 脉冲波 avalanche energy
d
mJ
I
AR
avalanche 电流
Ã
一个
E
AR
repetitive avalanche energy
mJ
二极管 特性
参数 最小值 典型值 最大值 单位
I
S
持续的 源 电流 ––– ––– 12
(身体 二极管) 一个
I
SM
搏动 源 电流 ––– ––– 92
(Body二极管)
Ã
V
SD
二极管 向前 电压 ––– 0.94 1.2 V
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 31 47 ns
Q
rr
反转 恢复 承担 ––– 26 39 nC
t
向前 转变-在 时间
intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 ls+ld)
–––
V
GS
= 4.5v
典型值
–––
–––
I
D
= 9.6a
V
GS
= 0v
V
DS
= 15v
I
D
= 9.6a
32
T
J
= 25°c, i
F
= 9.6a
di/dt = 100a/µs
e
T
J
= 25°c, i
S
= 9.6a, v
GS
= 0v
e
表明 这
integral 反转
p-n 接合面 二极管.
9.6
情况
V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
V
GS
= 7.0v, i
D
= 12a
e
最大值
V
GS
= 4.5v, i
D
= 9.6a
e
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
V
DS
= 24v, v
GS
= 0v
场效应晶体管 标识
clamped inductive 加载
V
DS
= 15v, i
D
= 9.6a
情况
0.23
ƒ = 1.0mhz
V
DS
= 16v, v
GS
= 0v
V
DD
= 15v, v
GS
= 4.5v
Ãe
V
DS
= 24v, v
GS
= 0v, t
J
= 125°c
V
DS
= 15v
V
GS
= 12v
V
GS
= -12v
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