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资料编号:316308
 
资料名称:IRF6617TR1
 
文件大小: 170.6K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

2 www.irf.com
S
D
G
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度.
开始 t
J
= 25°c, l = 0.40mh,
R
G
= 25
, i
= 12a.
脉冲波 宽度
400µs; 职责 循环
2%.
表面 挂载 在 1 在. 正方形的 cu 板.

使用 翻倍 sided 冷却, 挂载 垫子.

挂载 在 最小 footprint 全部 大小 板 和 metalized
后面的 和 和 小 clip 散热器.
T
C
量过的 和 热的 couple 挂载 至 顶 (流) 的 部分.
R
θ
是 量过的 在

静态的 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
参数 最小值 典型值 最大值 单位
BV
DSS
流-至-源 损坏 电压 30 ––– ––– V
∆Β
V
DSS
/
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– 25 ––– mv/°c
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗 ––– 6.2 8.1
m
––– 7.9 10.3
V
gs(th)
门 门槛 电压 1.35 ––– 2.35 V
V
gs(th)
/
T
J
门 门槛 电压 系数 ––– -5.4 ––– mv/°c
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流 ––– ––– 1.0 µA
––– ––– 150
I
GSS
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– 100 nA
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– -100
gfs 向前 跨导 39 ––– ––– S
Q
g
总的 门 承担 ––– 11 17
Q
gs1
前-vth 门-至-源 承担 ––– 3.1 –––
Q
gs2
邮递-vth 门-至-源 承担 ––– 1.0 ––– nC
Q
gd
门-至-流 承担 ––– 4.0 –––
Q
godr
门 承担 overdrive ––– 2.9 ––– 看 图. 17
Q
sw
转变 承担 (q
gs2
+ q
gd
)
––– 5.0 –––
Q
oss
输出 承担 ––– 10 ––– nC
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 11 –––
t
r
上升 时间 ––– 34 –––
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 12 ––– ns
t
f
下降 时间 ––– 3.7 –––
C
iss
输入 电容 ––– 1300 –––
C
oss
输出 电容 ––– 430 ––– pF
C
rss
反转 转移 电容 ––– 160 –––
二极管 特性
参数 最小值 典型值 最大值 单位
I
S
持续的 源 电流 ––– ––– 53
(身体 二极管) 一个
I
SM
搏动 源 电流 ––– ––– 120
(身体 二极管)

V
SD
二极管 向前 电压 ––– 0.81 1.0 V
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 16 24 ns
Q
rr
反转 恢复 承担 ––– 7.2 11 nC
场效应晶体管 标识
clamped inductive 加载
V
DS
= 15v, i
D
= 12a
情况
ƒ = 1.0mhz
V
DS
= 15v, v
GS
= 0v
V
DD
= 16v, v
GS
= 4.5v

V
DS
= 15v
V
DS
= 24v, v
GS
= 0v, t
J
= 125°c
V
GS
= 20v
V
GS
= -20v
V
GS
= 4.5v
V
GS
= 4.5v, i
D
= 12a
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
V
DS
= 24v, v
GS
= 0v
情况
V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
V
GS
= 10v, i
D
= 15a
T
J
= 25°c, i
F
= 12a
di/dt = 100a/µs
T
J
= 25°c, i
S
= 12a, v
GS
= 0v
表明 这
integral 反转
p-n 接合面 二极管.
I
D
= 12a
V
GS
= 0v
V
DS
= 15v
I
D
= 12a
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