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rf 设备 数据
freescale 半导体
mrf6s9045nr1 mrf6s9045nbr1 mrf6s9045mr1 mrf6s9045mbr1
典型 特性
100
24
1
0
80
P
输出
, 输出 电源 (watts) cw
图示 11. 电源 增益 和 流 效率
相比 cw 输出 电源
V
DD
= 28 vdc
I
DQ
= 350 毫安
f = 880 mhz
T
C
=−30
C
−30
C
85
C
10
23
22
20
18
70
60
50
40
30
20
η
D
,
流 效率 (%)
G
ps
η
D
G
ps
, 电源 增益 (db)
图示 12. 电源 增益 相比 输出 电源
P
输出
, 输出 电源 (watts) cw
V
DD
= 12 v
16 v
G
ps
, 电源 增益 (db)
100
17.5
23.5
08020
23
21
20.5
20
19.5
19
40 60
22
21.5
22.5
I
DQ
= 350 毫安
f = 880 mhz
21
19
17
16
10
25
C
10
18.5
18
30 50 70 90
20 v
24 v
28 v
32 v
85
C
25
C
210
10
9
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
这个 在之上 图表 显示 计算 mttf 在 小时 x ampere
2
流 电流. 生命 tests 在 提升 温度 有 correlated 至
更好的比
±
10% 的 这 theoretical prediction 为 metal 失败. 分隔
mttf 因素 用 i
D
2
为 mttf 在 一个 particular 应用.
10
8
10
7
10
6
mttf 因素 (小时 x 放大器
2
)
90 110 130 150 170 190
图示 13. mttf 因素 相比 接合面 温度
100 120 140 160 180 200
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