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资料编号:317
 
资料名称:M27C322-100F1
 
文件大小: 112.71K
   
说明
 
介绍:
32 Mbit 2Mb x16 UV EPROM and OTP EPROM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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M27C322
表格 10. 余裕 模式 交流 特性
(1)
(t
一个
= 25 °c; v
CC
= 6.25v ± 0.25v; v
PP
= 12v ± 0.25v)
便条: 1. V
CC
必须 是 应用 同时发生地 和 或者 在之前 v
PP
和 移除 同时发生地 或者 之后 v
PP
.
表格 11. 程序编制 模式 交流 特性
(1)
(t
一个
= 25 °c; v
CC
= 6.25v ± 0.25v; v
PP
= 12v ± 0.25v)
便条: 1. V
CC
必须 是 应用 同时发生地 和 或者 在之前 v
PP
和 移除 同时发生地 或者 之后 v
PP
.
2. 抽样 仅有的, 不 100% 测试.
标识 Alt 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
t
A9HVPH
t
AS9
V
A9
高 至 v
PP
2
µs
t
VPHEL
t
VPS
V
PP
高 至 碎片 使能 低
2µs
t
A10HEH
t
AS10
V
A10
高 至 碎片 使能 高 (设置)
1µs
t
A10LEH
t
AS10
V
A10
低 至 碎片 使能 高 (重置)
1µs
t
EXA10X
t
AH10
碎片 使能 转变 至 v
A10
转变
1µs
t
EXVPX
t
VPH
碎片 使能 转变 至 v
PP
转变
2µs
t
VPXA9X
t
AH9
V
PP
转变 至 v
A9
转变
2µs
标识 Alt 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
t
AVEL
t
地址 有效的 至 碎片 使能 低 1 µs
t
QVEL
t
DS
输入 有效的 至 碎片 使能 低 1 µs
t
VCHEL
t
VCS
V
CC
高 至 碎片 使能 低
2µs
t
VPHEL
t
OES
V
PP
高 至 碎片 使能 低
1µs
t
VPLVPH
t
PRT
V
PP
上升 时间
50 ns
t
ELEH
t
PW
碎片 使能 程序 脉冲波 宽度 (最初的) 45 55 µs
t
EHQX
t
DH
碎片 使能 高 至 输入 转变 2 µs
t
EHVPX
t
OEH
碎片 使能 高 至 v
PP
转变
2µs
t
VPLEL
t
VR
V
PP
低 至 碎片 使能 低
1µs
t
ELQV
t
DV
碎片 使能 低 至 输出 有效的 1 µs
t
EHQZ
(2)
t
DFP
碎片 使能 高 至 输出 hi-z 0 130 ns
t
EHAX
t
AH
碎片 使能 高 至 地址 转变 0 ns
程序编制
当 delivered (和 之后 各自 erasure 为 uv
非易失存储器), 所有 位 的 这 m27c322 是 在 这 "1"
状态. 数据 是 introduced 用 selectively 程序-
ming "0"s 在 这 desired 位 locations. 虽然
仅有的 "0"s 将 是 编写程序, 两个都 "1"s 和 "0"s
能 是 呈现 在 这 数据 文字. 这 仅有的 方法 至
改变 一个 "0" 至 一个 "1" 是 用 消逝 exposition 至 ultravi-
olet 明亮的 (uv 非易失存储器). 这 m27c322 是 在 这
程序编制 模式 当 v
PP
输入 是 在 12.v,
G
V
PP
是 在 v
IH
是 编写程序 是 应用 至 16 位 在 并行的 至
这 数据 输出 管脚. 这 水平 必需的 为 这
是 指定
至 是 6.25v ± 0.25v.
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