71
IRF7106
图 1.
典型 输出 特性,
T
J
= 25
o
C
图 2.
典型 输出 特性,
T
J
= 150
o
C
0.1
1
10
100
0.01 0.1 1 10 100
i , 流-至-源 电流 (一个)
D
V,Drain-to-S我们的ceVoltage(V)
DS
VGS
TOP15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM4.5V
20µsPULSEWIDTH
T=150°C
一个
4.5V
J
0.1
1
10
100
0.01 0.1 1 10 100
i , 流-至-源 电流 (一个)
D
V,Dr一个in-to-SourceVoltage(V)
DS
VGS
TOP15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM4.5V
20µsPULSEWIDTH
T=25°C
一个
4.5V
J
0
4
8
12
16
20
0 2 4 6 8 10 12 14
Q,Tot一个lG一个teCharge(nC)
G
v , 门-至-源 电压 (v)
GS
一个
I=2.3一个
V=10V
D
DS
FORTESTCIRCUIT
看FIGURE11
0
200
400
600
800
1 10 100
c, 电容 (pf)
DS
V,Dr一个in-to-SourceVoltage(V)
一个
V=0V,f=1MHz
C=C+C,CSHORTED
C=C
C=C+C
GS
issgsgdds
rssgd
ossdsgd
C
iss
C
oss
C
rss
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
10
100
4 5 6 7 8 9 10
T=25°C
T=150°C
J
J
GS
V,G一个te-to-SourceVoltage(V)
D
i , 流-至-源 电流 (一个)
一个
V=15V
20µsPULSEWIDTH
DS
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
J
T,Juncti在Temper一个ture(°C)
r , 流-至-源 在 阻抗
ds(在)
(normalized)
V=10V
GS
一个
I=3.0一个
D
图 4.
normalized 在-阻抗
vs. 温度
图 3.
典型 转移 特性
n-频道