73
IRF7106
0.1
1
10
100
0.1 1 10 100
D
DS
一个
-i , 流-至-源 电流 (一个)
-V,Dr一个in-to-SourceVoltage(V)
VGS
TOP-15V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
BOTTOM-4.5V
-4.5V
20µsPULSEWIDTH
T=25°C
J
0.1
1
10
100
0.1 1 10 100
D
DS
20µsPULSEWIDTH
T=150°C
一个
-i , 流-至-源 电流 (一个)
-V,Dr一个in-to-SourceVoltage(V)
VGS
TOP-15V
-10V
-8.0V
-7.0V
-6.0V
-5.5V
-5.0V
BOTTOM-4.5V
-4.5V
J
图 12.
典型 输出 特性,
T
J
= 25
o
C
图 13.
典型 输出 特性,
T
J
= 150
o
C
1
10
100
4 6 8 10
T=25°C
T=150°C
J
J
GS
D
一个
-i , 流-至-源 电流 (一个)
-V,G一个te-to-SourceVoltage(V)
V=-15V
20µsPULSEWIDTH
DS
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
J
T,Juncti在Temper一个ture(°C)
r , 流-至-源 在 阻抗
ds(在)
(normalized)
一个
V=-10V
GS
I=-2.5一个
D
图 15.
normalized 在-阻抗
vs. 温度
图 14.
典型 转移 特性
图 16.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
0
200
400
600
800
1 10 100
c, 电容 (pf)
一个
DS
-V,Drain-to-S我们的ceVoltage(V)
V=0V,f=1MHz
C=C+C,CSHORTED
C=C
C=C+C
GS
issgsgdds
rssgd
ossdsgd
C
iss
C
oss
C
rss
图 17.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
0
4
8
12
16
20
0 4 8 12 16 20
G
GS
一个
-v , 门-至-源 电压 (v)
Q,Tot一个lG一个teCharge(nC)
I=-2.3一个
V=-10V
D
DS
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