HEXFET
®
电源 场效应晶体管
specifically 设计 为 automotive 产品, 这些
HEXFET
®
电源 场效应晶体管's 在 一个 双 所以-8 包装 utilize
这 lastest 处理 技巧 至 达到 极其 低
在-阻抗 每 硅 范围. 额外的 特性 的 这些
automotive qualified hexfet 电源 场效应晶体管's 是 一个 175°c
接合面 运行 温度, 快 切换 速 和
改进 repetitive avalanche 比率. 这些 益处 联合的
至 制造 这个 设计 一个 极其 效率高的 和 可依靠的 设备
为 使用 在 automotive 产品 和 一个 宽 多样性 的 其它
产品.
这 效率高的 所以-8 包装 提供 增强 热的
特性 和 双 场效应晶体管 消逝 能力 制造 它 完美的
在 一个 多样性 的 电源 产品. 这个 双, 表面 挂载
所以-8 能 dramatically 减少 板 空间 和 是 也 有
在 录音带 &放大; 卷轴.
绝对 最大 比率
描述
03/14/02
www.irf.com 1
●
先进的 处理 技术
●
双 n-频道 场效应晶体管
●
过激 低 在-阻抗
●
175°c 运行 温度
●
repetitive avalanche 允许 向上 至 tjmax
●
automotive [q101] qualified
益处
典型 产品
●
反对-锁 用闸减速 系统 (abs)
●
电子的 fuel injection
●
电源 doors, windows &放大; seats
automotive 场效应晶体管
pd - 93944c
IRF7103Q
V
DSS
R
ds(在)
最大值 (m
Ω)Ω)
Ω)Ω)
Ω)
I
D
50V
130@V
GS
= 10v 3.0a
200@V
GS
= 4.5v 1.5a
标识 参数 典型值 最大值 单位
R
θ
JL
接合面-至-流 含铅的
–––
20
R
θ
JA
接合面-至-包围的
–––
50
°
c/w
热的 阻抗
参数 最大值 单位
I
D
@ t
C
= 25
°
C 持续的 流 电流, v
GS
@ 4.5v 3.0
I
D
@ t
C
= 70
°
C 持续的 流 电流, v
GS
@ 4.5v 2.5 一个
I
DM
搏动 流 电流
25
P
D
@T
C
= 25
°
C 电源 消耗
2.4 W
直线的 减额 因素 16 mw/
°
C
V
GS
门-至-源电压 ± 20 V
E
作
单独的 脉冲波 avalanche 活力
22 mJ
I
AR
avalanche 电流
看 图.16c, 16d, 19, 20 一个
E
AR
repetitive avalanche 活力
mJ
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
12 v/ns
T
j,
T
STG
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 + 175
°
C
D1
D1
D2
D2
G1
S2
G2
S1
顶 视图
8
1
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5
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7
所以-8
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