IRF7103Q
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参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管) 表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压
––– –––
1.2 V T
J
= 25
°
c, i
S
= 1.5a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间
–––
35 53 ns T
J
= 25
°
c, i
F
= 1.5a
Q
rr
反转 恢复 承担
–––
45 67 nC di/dt = 100a/µs
源-流 比率 和 特性
一个
12
–––
–––
–––
3.0
–––
注释:
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度.
脉冲波 宽度
≤
400µs; 职责 循环
≤
2%.
表面 挂载 在 1 在 正方形的 cu 板
开始 t
J
= 25
°
c, l = 4.9mh
R
G
= 25
Ω
, i
作
= 3.0a. (看 图示 12).
I
SD
≤
2.0a, di/dt
≤
155a/µs, v
DD
≤
V
(br)dss
,
T
J
≤
175
°
C
限制 用 t
Jmax
, 看 图.16c, 16d, 19, 20 为 典型 repetitive
avalanche 效能.
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 50
––– –––
VV
GS
= 0v, i
D
= 250µa
∆
V
(br)dss
/
∆
T
J
损坏 电压 温度 系数
–––
0.057
–––
v/
°
C 涉及 至 25
°
c, i
D
= 1ma
––– –––
130 V
GS
= 10v, i
D
= 3.0a
––– –––
200 V
GS
= 4.5v, i
D
= 1.5a
V
gs(th)
门 门槛 电压 1.0
–––
3.0 V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
g
fs
向前 跨导 3.4
––– –––
SV
DS
= 15v, i
D
= 3.0a
––– –––
2.0 V
DS
= 40v, v
GS
= 0v
––– –––
25 V
DS
= 40v, v
GS
= 0v, t
J
= 55
°
C
门-至-源 向前 泄漏
––– –––
100 V
GS
= 20v
门-至-源 反转 泄漏
––– –––
-100 V
GS
= -20v
Q
g
总的 门 承担
–––
10 15 I
D
= 2.0a
Q
gs
门-至-源 承担
–––
1.2
–––
nC V
DS
= 40v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担
–––
2.8
–––
V
GS
= 10v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
–––
5.1
–––
V
DD
= 25v
t
r
上升 时间
–––
1.7
–––
I
D
= 1.0a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间
–––
15
–––
R
G
= 6.0
Ω
t
f
下降 时间
–––
2.3
–––
R
D
= 25
Ω
C
iss
输入 电容
–––
255
–––
V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容
–––
69
–––
pF V
DS
= 25v
C
rss
反转 转移 电容
–––
29
––– ƒ
= 1.0mhz
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
I
GSS
µA
m
Ω
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
nA
ns
S
D
G
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