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资料编号:317093
资料名称:
IRF7103Q
文件大小: 169.02K
说明
:
介绍
:
Power MOSFET(Vdss=50V)
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7103Q
4
www.irf.com
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
1
10
100
V
DS
, 流-至-源 电压 (v)
10
100
1000
10000
c, 电容(pf)
Coss
Crss
Ciss
V
GS
= 0v, f = 1 mhz
C
iss
= c
gs
+ c
gd
, c
ds
短接
C
rss
= c
gd
C
oss
= c
ds
+ c
gd
0.1
1
10
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
v ,源-至-流 volta
g
e (v)
i , 反转 流 电流 (一个)
SD
SD
v = 0 v
GS
t = 175 c
J
°
t = 25 c
J
°
0
1
10
100
1000
V
DS
, 流-tosource 电压 (v)
0.01
0.1
1
10
100
I
D
, 流-至-源 电流 (一个)
tc = 25
°
C
tj = 175
°
C
单独的 脉冲波
1msec
10msec
运作 在 这个 范围
限制 用 r
DS
(在)
100µsec
0
3
6
9
12
0
3
6
9
12
q , 总的 门 承担 (nc)
v , 门-至-源 电压 (v)
G
GS
I
=
D
2.0a
V
=
10V
DS
V
=
25V
DS
V
=
40V
DS
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