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资料编号:317093
 
资料名称:IRF7103Q
 
文件大小: 169.02K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=50V)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7103Q
6 www.irf.com
图 13.
典型 在-阻抗 vs. 流
电流
图 12.
典型 在-阻抗 vs. 门
电压
图 14.
典型 门槛 电压 vs.
接合面 温度
图 15.
典型 电源 vs. 时间
4.5 6.0 7.5 9.0 10.5 12.0 13.5 15.0
-v
gs,
门 -至 -源 电压 (v)
0.09
0.10
0.11
0.12
0.13
0.14
0.15
R
ds(在)
, 流-至 -源 在 阻抗 (
)
I
D
= 3.0a
0 5 10 15 20 25 30 35 40
I
D
, 流 电流 (一个)
0.000
0.500
1.000
1.500
2.000
2.500
R
ds (在)
, 流-至-源 在 阻抗 (
)
V
GS
= 10v
V
GS
= 4.5v
1.00 10.00 100.00 1000.00
时间 (秒)
0
10
20
30
40
50
60
70
电源 (w)
-75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
, 温度 (
°
c )
1.0
1.3
1.5
1.8
2.0
V
gs(th)
门 门槛 电压 (v)
I
D
= 250µa
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