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co-包装 hexfet
®
电源 场效应晶体管 和
肖特基 二极管
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完美的 为 buck 调整器 产品
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n-频道 hexfet 电源 场效应晶体管
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低 v
F
肖特基 整流器
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一代 5 技术
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所以-8 footprint
IRF7353D2
pd- 93809
FETKY
场效应晶体管 / 肖特基 二极管
参数 最大 单位
R
θ
JA
接合面-至-包围的
62.5 °c/w
热的 阻抗 比率
描述
V
DSS
= 30v
R
ds(在)
= 0.029
Ω
肖特基 v
F
= 0.52v
这
FETKY
家族 的 co-包装 hexfet
®
电源 mosfets 和 肖特基
二极管 提供 这 设计者 一个 革新的, 板 空间 节省 解决方案 为
切换 调整器 和 电源 管理 产品. 一代 5
hexfet 电源 mosfets utilize 先进的 处理 技巧 至
达到 极其 低 在-阻抗 每 硅 范围. combinining 这个
技术 和 国际的 整流器's 低 向前 漏出 肖特基 整流器
结果 在 一个 极其 效率高的 设备 合适的 为 使用 在 一个 宽 多样性 的
可携带的 electronics 产品.
这 所以-8 有 被 修改 通过 一个 customized 引线框架 为 增强
热的 特性. 这 所以-8 包装 是 设计 为 vapor 阶段,
infrared 或者 波 焊接 技巧.
11/8/99
注释:
➀
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度 (看 图示 9)
➁
开始 t
J
= 25°c, l = 10mh, r
G
= 25
Ω
, i
作
= 4.0a
➂
I
SD
≤
4.0a, di/dt
≤
74a/µs, v
DD
≤
V
(br)dss
, t
J
≤
150°C
➃
脉冲波 宽度
≤
300µs; 职责 循环
≤
2%
表面 挂载 在 fr-4 板, t
≤
10sec.
顶 视图
8
1
2
3
4
5
6
7
一个
一个
S
G
D
D
K
K
参数 最大 单位
I
D
@ t
一个
= 25°c 持续的 流 电流
➃
6.5 一个
I
D
@ t
一个
= 70°c 5.2
I
DM
搏动 流 电流
➀
52
P
D
@T
一个
= 25°c 电源 消耗
➃
2.0 W
P
D
@T
一个
= 70°c 1.3
直线的 减额 因素 16 mw/°c
V
GS
门-至-源 电压 ± 20 V
dv/dt 顶峰 二极管 恢复 dv/dt
➁
-5.0 v/ns
T
j,
T
STG
接合面 和 存储 温度 范围 -55 至 +150 °C
绝对 最大 比率
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出)
所以-8
7353d2.p65 11/8/99, 3:01 pm1
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