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资料编号:317209
 
资料名称:IRF7324D1
 
文件大小: 164.18K
   
说明
 
介绍:
FETKY MOSFET / Schottky Diode
 
 


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IRF7324D1
2 www.irf.com
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 -20 V V
GS
= 0v, i
D
= -250µa
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗 0.070 0.180 V
GS
= -4.5v, i
D
= -2.9a
0.115 0.375 V
GS
= -2.7v, i
D
= -2.5a
V
gs(th)
门 门槛 电压 -0.70 V V
DS
= v
GS
, i
D
= -250µa
g
fs
向前 跨导 4.0 S V
DS
= -16v, i
D
= -2.2a
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流 -1.0 V
DS
= -16v, v
GS
= 0v
-25 V
DS
= -16v, v
GS
= 0v, t
J
= 125°c
I
GSS
门-至-源 向前 泄漏 -100 V
GS
= -12v
门-至-源 反转 泄漏 100 V
GS
= 12v
Q
g
总的 门 承担 15 22 I
D
= -2.2a
Q
gs
门-至-源 承担 2.2 3.3 nC V
DS
= -16v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 6.0 9.0 V
GS
= -4.5v (看 图示 10)
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 8.4 V
DD
= -10v
t
r
上升 时间 26 I
D
= -2.2a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 51 R
G
= 6.0
t
f
下降 时间 33 R
D
= 4.5
C
iss
输入 电容 610 V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 310 pF V
DS
= -15v
C
rss
反转 转移 电容 170 ƒ = 1.0mhz (看 图示 9)
场效应晶体管 电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
µA
nA
ns
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
I
S
持续的 源 电流 (身体 二极管) -2.0 一个
I
SM
搏动 源 电流 (身体 二极管) -23
V
SD
身体 二极管 向前 电压 -1.2 V T
J
= 25°c, i
S
= -2.0a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间 (身体 二极管) 43 65 ns T
J
= 25°c, i
F
= -2.3a
Q
rr
反转 恢复 承担 44 66 nC di/dt = 100a/µs
场效应晶体管 源-流 比率 和 特性
参数 最大值单位.
情况
I
f(av)
最大值 平均 向前 电流 1.7 50% 职责 循环. rectangular 波, t
一个
= 25°c
1.2 T
一个
= 70°c
I
SM
最大值 顶峰 一个 循环 非-repetitive 120 5µs sine 或者 3µs rect. 脉冲波 下列的 任何 评估
Surge 电流 11 10ms sine 或者 6ms rect. 脉冲波 加载 情况 &放大;
和 v
RRM
应用
一个
一个
肖特基 二极管 最大 比率
参数 最大值 单位 情况
V
FM
最大值 向前 电压 漏出 0.50 I
F
= 1.0a, t
J
= 25°c
0.62 I
F
= 2.0a, t
J
= 25°c
0.39 I
F
= 1.0a, t
J
= 125°c
0.57 I
F
= 2.0a, t
J
= 125°c .
I
RM
最大值反转泄漏电流 0.05 V
R
= 20v T
J
= 25°c
10 T
J
= 125°c
C
t
最大值 接合面 电容 92 pF V
R
= 5vdc ( 100khz 至 1 mhz) 25°c
dv/dt 最大值 电压 比率 的 承担 3600 v/ µs 评估 v
R
肖特基 二极管 电的 规格
V
毫安
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