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资料编号:317223
 
资料名称:IRF7319
 
文件大小: 137.16K
   
说明
 
介绍:
HEXFET?? Power MOSFET
 
 


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IRF7319
图 21.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 20.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
p-频道
图 22.
最大 有效的 瞬时 热的 阻抗, 接合面-至-包围的
0.1
1
10
100
0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100
注释:
1. 职责 因素 d = t / t
2. 顶峰 t = P x z + t
1 2
J DM thJA 一个
P
t
t
DM
1
2
t , rectangular 脉冲波 持续时间 (秒)
热的 回馈 (z )
1
thJA
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
0.50
单独的 脉冲波
(热的 回馈)
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1 10 100
c, 电容 (pf)
DS
v , 流-至-源 电压 (v)
一个
C
iss
C
oss
C
rss
V
GS
= 0v f = 1 mhz
ciss = cgs + cgd + cds 短接
crss = cgd
coss = cds + cgd
-
0 10 20 30 40
0
4
8
12
16
20
q , 总的 门 承担 (nc)
-v , 门-至-源 电压 (v)
G
GS
I =
D
-4.9a
V =-15v
DS
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