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资料编号:317374
 
资料名称:IRF7492
 
文件大小: 105.49K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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IRF7492
2 www.irf.com
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
g
fs
向前 跨导 7.9 ––– ––– S V
DS
= 50v, i
D
= 3.7a
Q
g
总的 门 承担 ––– 39 59 I
D
= 2.2a
Q
gs
门-至-源 承担 ––– 9.2 ––– nC V
DS
= 100v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– 15 ––– V
GS
= 10v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 15 ––– V
DD
= 100v
t
r
上升 时间 ––– 13 ––– I
D
= 2.2a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 27 ––– R
G
= 6.5
t
f
下降 时间 ––– 14 ––– V
GS
= 10v

C
iss
输入 电容 ––– 1820 ––– V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 ––– 190 ––– V
DS
= 25v
C
rss
反转 转移 电容 ––– 94 ––– pF ƒ = 1.0mhz
C
oss
输出 电容 ––– 780 ––– V
GS
= 0v, v
DS
= 1.0v, ƒ = 1.0mhz
C
oss
输出 电容 ––– 89 ––– V
GS
= 0v, v
DS
= 160v, ƒ = 1.0mhz
C
oss
eff. 有效的 输出 电容 ––– 150 ––– V
GS
= 0v, v
DS
= 0v 至 160v
动态 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
ns
参数 典型值 最大值 单位
E
单独的 脉冲波 avalanche 活力
––– 130 mJ
I
AR
avalanche 电流
––– 4.4 一个
avalanche 特性
S
D
G
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管)
––– –––
表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
––– –––
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– 1.3 V T
J
= 25°c, i
S
= 2.2a, v
GS
= 0v

t
rr
反转 恢复 时间 ––– 69 100 ns T
J
= 25°c, i
F
= 2.2a
Q
rr
反转 recoverycharge ––– 200 310 nC di/dt = 100a/µs
二极管 特性
2.3
30
一个
静态的 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
BV
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 200 ––– ––– V V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
V
(br)dss
/
T
J
损坏 电压 温度 系数
––– 0.20 ––– v/°c 涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗 ––– 64 79 m
V
GS
= 10v, i
D
= 2.2a

V
gs(th)
门 门槛 电压 2.5 ––– ––– V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
––– ––– 1.0
µA
V
DS
= 160v, v
GS
= 0v
––– ––– 250 V
DS
= 160v, v
GS
= 0v, t
J
= 125°c
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– 100 V
GS
= 20v
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– -100
nA
V
GS
= -20v
I
GSS
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
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