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资料编号:317374
 
资料名称:IRF7492
 
文件大小: 105.49K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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IRF7492
6 www.irf.com
图 13.
在-阻抗 vs. 门 电压
图 12.
在-阻抗 vs. 流 电流
图 14a&放大;b.
基本 门 承担 测试 电路
和 波形
图 15a&放大;b.
unclamped inductive 测试 电路
和 波形
图 15c.
最大 avalanche 活力
vs. 流 电流
d.u.t.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
µ
F
50K
.2
µ
F
12V
电流 调整器
一样 类型 d.u.t.
电流 抽样 电阻器
+
-
V
GS
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
承担
t
p
V
(BR)DSS
I
R
G
I
0.01
t
p
d.u.t
L
V
DS
+
-
V
DD
驱动器
一个
15V
20V
25 50 75 100 125 150
0
50
100
150
200
250
300
Starting tj, 接合面 温度 (C)
e , 单独的 脉冲波 avalanche 活力 (mj)
°
I
D
BOTTOM
2.0a
3.5a
4.4a
0 5 10 15 20 25 30
I
D
, 流 电流 (一个)
40
50
60
70
80
90
100
R
ds (在)
, 流-至-源 在 阻抗 (m
)
V
GS
= 10v
5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
V
gs,
门 -至 -源 电压 (v)
0
100
200
300
400
500
R
ds(在)
, 流-至 -源 在 阻抗 (m
)
I
D
= 3.7a
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