IRF7524D1
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场效应晶体管 电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 -20 ––– ––– V V
GS
= 0v, i
D
= -250µa
––– 0.17 0.27 V
GS
= -4.5v, i
D
= -1.2a
––– 0.28 0.40 V
GS
= -2.7v, i
D
= -0.60a
V
gs(th)
门 门槛 电压 -0.70 ––– ––– V V
DS
= v
GS
, i
D
= -250µa
g
fs
向前 跨导 1.3 ––– ––– S V
DS
= -10v, i
D
= -0.60a
––– ––– -1.0 V
DS
= -16v, v
GS
= 0v
––– ––– -25 V
DS
= -16v, v
GS
= 0v, t
J
= 125°c
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– -100 V
GS
= -12v
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– 100 V
GS
= 12v
Q
g
总的 门 承担 ––– 5.4 8.2 I
D
= -1.2a
Q
gs
门-至-源 承担 ––– 0.96 1.4 nC V
DS
= -16v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– 2.4 3.6 V
GS
= -4.5v, 看 图. 6
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 9.1 ––– V
DD
= -10v
t
r
上升 时间 ––– 35 ––– I
D
= -1.2a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 38 ––– R
G
= 6.0
Ω
t
f
下降 时间 ––– 43 ––– R
D
= 8.3
Ω
,
C
iss
输入 电容 ––– 240 ––– V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 ––– 130 ––– pF V
DS
= -15v
C
rss
反转 转移 电容 ––– 64 ––– ƒ = 1.0mhz, 看 图. 5
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
I
GSS
Ω
µA
nA
ns
参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流(身体 二极管) ––– ––– -1.25
I
SM
搏动 源 电流(身体 二极管) ––– ––– -9.6
V
SD
身体 二极管 向前 电压 ––– ––– -1.2 V T
J
= 25°c, i
S
= -1.2a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间 (身体 二极管) ––– 52 78 ns T
J
= 25°c, i
F
= -1.2a
Q
rr
反转 恢复 承担 ––– 63 95 nC di/dt = 100a/µs
一个
场效应晶体管 源-流 比率 和 特性
参数 最大值 单位
情况
I
f(av)
最大值 平均 向前 电流 1.9 50% 职责 循环. rectangular 波, t
一个
= 25°c
1.4 图.14 T
一个
= 70°c
I
SM
最大值 顶峰 一个 循环 非-repetitive 120 5µs sine 或者 3µs rect. 脉冲波 下列的 任何 评估
Surge 电流 11 10ms sine 或者 6ms rect. 脉冲波 加载 情况 &放大;
和 v
RRM
应用
一个
一个
肖特基 二极管 最大 比率
参数 最大值 单位 情况
V
FM
最大值 向前 电压 漏出 0.50 I
F
= 1.0a, t
J
= 25°c
0.62 I
F
= 2.0a, t
J
= 25°c
0.39 I
F
= 1.0a, t
J
= 125°c
0.57 I
F
= 2.0a, t
J
= 125°c .
I
RM
最大值 反转 泄漏 电流 0.02 V
R
= 20v T
J
= 25°c
8 t
J
= 125°c
C
t
最大值 接合面 电容 92 pF V
R
= 5vdc ( 100khz 至 1 mhz) 25°c
dv/dt 最大值 电压 比率 的 承担 3600 v/ µs 评估 v
R
肖特基 二极管 电的 规格
V
毫安
( hexfet 是 这 reg. tm 为 国际的 整流器 电源 场效应晶体管's )
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