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资料编号:317476
 
资料名称:IRF7523D1
 
文件大小: 204.94K
   
说明
 
介绍:
FETKY⑩ MOSFET / Schottky Diode(Vdss=30V, Rds(on)=0.11ohm, Schottky Vf=0.39V)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7523D1
6 www.irf.com
肖特基 二极管 特性
图. 13
- 典型 值 的 反转
电流 vs. 反转 电压
反转 电流 - i
R
(毫安)
图. 12
-典型 向前 电压 漏出 characteris-
tics
0.1
1
10
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
FM
F
instantaneous 向前 电流 - i (一个)
向前 voltage 漏出 - v (v)
t = 150°c
t = 125°c
t = 25°c
J
J
J
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0 5 10 15 20 25 30
R
100°C
75°C
50°C
25°C
反转 电压 - V (v)
125°C
)
T = 150°C
J
图.14
- 最大 容许的 包围的
温度 vs. 向前 电流
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
f(av)
一个
AverageForw 一个rdCurrent - i (一个)
准许能 ambient temperature - (°c)
d = 3/4
d = 1/2
d =1/3
d = 1/4
d = 1/5
直流
v = 80%Rated
R= 100°C/w
正方形的 波
thJA
r
向前 电压 漏出 - v
F
(v)
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