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资料编号:317490
 
资料名称:IRF7509
 
文件大小: 217.17K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET(Vdss=+-30V)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRF7509
4 www.irf.com
图 8.
最大 safe 运行 范围
图 9.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 10.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
0
100
200
300
400
1 10 100
c, capacitance (pf)
DS
v , 流-至-源 电压 (v)
一个
V= 0v, f =1M Hz
C=C +C, cSHORTE D
C=C
C=C +C
GS
issgs gd ds
rss gd
oss ds gd
C
s
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
024681012
q , 总的 gate charge (nc)
G
v , gate-至-源 电压 (v)
GS
一个
为 测试 电路
看 图示 9
V = 24v
V = 15v
i = 1.7a
DS
DS
D
图 7.
典型 在-阻抗 vs. 门
电压
0 4 8 12 16
0.060
0.080
0.100
0.120
0.140
r , 流-至-源 在 阻抗
v , 门-至-源 电压 (v)
GS
ds (在)
id = 2.7a
n - 频道
0.1
1
10
100
1 10 100
运作 在 这个 范围 限制
用 r
ds(在)
单独的 脉冲波
T
T
= 150 c
= 25 c
°
°
J
C
v , 流-至-源 电压 (v)
i , 流 电流 (一个)i , 流 电流 (一个)
DS
D
10us
100us
1ms
10ms
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