©2003 仙童 半导体 公司 huf76129d3, huf76129d3s rev. b1
图示 7. 转移 特性 图示 8. 饱和 特性
图示 9. 流 至 源 在 阻抗 vs 门
电压 和 流 电流
图示 10. normalized 流 至 源 在
阻抗 vs 接合面 温度
图示 11. normalized 门 门槛 电压 vs
接合面 温度
图示 12. normalized 流 至 源 损坏
电压 vs 接合面 温度
典型 效能 曲线
(持续)
0231
0
15
30
45
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
150
o
C
-55
o
C
25
o
C
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
V
DD
= 15v
60
4
I
D
, 流 电流 (一个)
V
GS
= 4v
V
GS
= 3.5v
0
15
30
012345
45
I
D
, 流 电流 (一个)
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
V
GS
= 5v
V
GS
= 10v
V
GS
= 4.5v
60
I
D
, 流 电流 (一个)
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
V
GS
= 3v
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
18
21
24
30
12
4
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
26108
I
D
= 20a
I
D
= 10a
I
D
= 5a
r
ds(在)
, 流 至 源
在 阻抗 (m
Ω
)
15
27
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
0.6
0.8
1.0
1.2
1.6
-80 0 40
normalized 流 至 源
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
在 阻抗
160
1.4
-40
80
120
脉冲波 持续时间 = 80
µ
s
职责 循环 = 0.5% 最大值
V
GS
= 10v, i
D
= 20a
0.6
0.7
1.0
1.2
normalized 门
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
门槛 电压
V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
一个
0.9
0.8
1.1
-80 0 40 160
-40
80
120
1.15
1.05
1.00
0.95
0.90
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
normalized 流 至 源
损坏 电压
I
D
= 250
µ
一个
1.10
-80 0 40 160
-40
80
120
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