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资料编号:317721
 
资料名称:HUF76013D3S
 
文件大小: 245.28K
   
说明
 
介绍:
20A, 20V, 0.022 Ohm, N-Channel, Logic Level Power MOSFETs
 
 


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2
电的 specifications
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 指定
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 状态 规格
流 至 源 损坏 电压 BV
DSS
I
D
= 250
µ
一个, v
GS
= 0v (图示 11) 20 - - V
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 20v, v
GS
= 0v - - 1
µ
一个
V
DS
= 20v, v
GS
= 0v, t
C
= 150
o
C - - 250
µ
一个
门 至 源 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
=
±
16V - -
±
100 nA
在 状态 规格
门 至 源 门槛 电压 V
gs(th)
V
GS
= v
DS
, i
D
= 250
µ
一个 (图示 10) 1 - 3 V
流 至 源 在 阻抗 r
ds(在)
I
D
= 20a, v
GS
= 10v (计算数量 8, 9) - 0.018 0.022 W
I
D
= 20a, v
GS
= 5v (图示 8) - 0.025 0.030 W
切换 规格
(v
GS
= 5v)
转变-在 时间 t
V
DD
= 10v, i
D
= 20a
V
GS
=
5v, r
GS
= 19
(计算数量 14, 18, 19)
- - 197 ns
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
-11-ns
上升 时间 t
r
- 120 - ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
-19-ns
下降 时间 t
f
-30-ns
转变-止 时间 t
- - 72 ns
切换 规格
(v
GS
= 10v)
转变-在 时间 t
V
DD
= 10v, i
D
= 20a
V
GS
=
10v,
R
GS
= 19
(计算数量 15, 18, 19)
- - 151 ns
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
-7-ns
上升 时间 t
r
-93-ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
-37-ns
下降 时间 t
f
-29-ns
转变-止 时间 t
- - 100 ns
门 承担 规格
总的 门 承担 在 10v Q
g(tot)
V
GS
= 0v 至 10v V
DD
= 10v,
I
D
= 20a,
I
g(ref)
= 1.0ma
(计算数量 13, 16, 17)
- 14.4 17 nC
总的 门 承担 在 5v Q
g(tot)
V
GS
= 0v 至 5v - 7.8 9 nC
门槛 门 承担 Q
g(th)
V
GS
= 0v 至 1v - 0.9 1 nC
门 至 源 门 承担 Q
gs
- 3.5 - nC
门 至 流 “miller” 承担 Q
gd
- 3.2 - nC
电容 规格
输入 电容 C
ISS
V
DS
= 20v, v
GS
= 0v,
f = 1mhz
(图示 12)
- 624 - pF
输出 电容 C
OSS
- 444 - pF
反转 转移 电容 C
RSS
-71-pf
源 至 流 二极管 specifications
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值
单位
源 至 流 二极管 电压 V
SD
I
SD
= 20a - - 1.25 V
I
SD
= 10a - - 1.0 V
反转 恢复 时间 t
rr
I
SD
= 20a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s--55ns
反转 recovered 承担 Q
RR
I
SD
= 20a, di
SD
/dt = 100a/
µ
s--82nc
huf76013p3, huf76013d3s
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