4-34
绝对 最大 比率
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
irf9640, rf1s9640sm 单位
流 至 源 损坏 电压 (便条 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .v
DS
-200 V
流 至 门 电压 (r
GS
= 20k
Ω)
(便条 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
DGR
-200 V
持续的 流 电流 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
D
T
C
= 100
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..i
D
-11
-7
一个
一个
搏动 流 电流 (便条 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
DM
-44 一个
门 至 源 电压. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .v
GS
±
20 V
最大 电源 消耗. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .P
D
125 W
直线的 减额 因素. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 w/
o
C
单独的 脉冲波 avalanche 活力 比率 (便条 3, 4) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .E
作
790 mJ
运行 和 存储 温度 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
j,
T
STG
-55 至 150
o
C
最大 温度 为 焊接
leads 在 0.063in (1.6mm) 从 情况 为 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
L
包装 身体 为 10s, 看 techbrief 334 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
pkg
300
260
o
C
o
C
提醒: 压力 在之上 那些 列表 在 “Absolute 最大 Ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 仅有的 比率 和 operationofthe
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
便条:
1. T
J
= 25
o
c 至 125
o
C
电的 specifications
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流 至 源 损坏 电压 BV
DSS
I
D
= -250
µ
一个, v
GS
= 0v (图示 10) -200 - - V
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
GS
= v
DS
, i
D
= -250
µ
一个 -2 - -4 V
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 评估 bv
DSS
, v
GS
= 0v - - 25
µ
一个
V
DS
= 0.8 x 评估 bv
DSS
, v
GS
= 0v, t
C
= 125
o
C - - 250
µ
一个
在-状态 流 电流 (便条 2) I
d(在)
V
DS
> i
d(在)
x r
ds(在)最大值
, v
GS
= -10v -11 - - 一个
门 至 源 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
=
±
20V - -
±
100 nA
流 至 源 在 阻抗 (便条 2) r
ds(在)
I
D
= -6a, v
GS
= -10v (计算数量 8, 9) - 0.350 0.500
Ω
向前 跨导 (便条 2) g
fs
V
DS
> i
d(在)
x r
ds(在)最大值
, i
D
= -6a (图示 12) 4 6 - S
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
V
DD
= 0.5 x 评估 bv
DSS
, i
D
≈
-11a, r
G
= 9.1
Ω
V
GS
= -10v (计算数量 17, 18)
R
L
= 8.4
Ω
为 v
DSS
= -100v
R
L
= 6.1
Ω
为 v
DSS
= -75v
场效应晶体管 切换 时间 是 essentially indepen-
dent 的 运行 温度
-1822 ns
上升 时间 t
r
-4568 ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
-7590 ns
下降 时间 t
f
-2944 ns
总的 门 承担
(门 至 源 + 门 至 流)
Q
g(tot)
V
GS
= -10v, i
D
= -11a, v
DS
= 0.8 x 评估 bv
DSS
I
g(ref)
= -1.5ma (计算数量 14, 19, 20)
门 承担 是 essentially 独立 的
运行 温度
-7090nc
门 至 源 承担 Q
gs
-55- nC
门 至 流 “miller” 承担 Q
gd
-15- nC
输入 电容 C
ISS
V
DS
= -25v, v
GS
= 0v, f = 1mhz
(图示 11)
- 1100 - pF
输出 电容 C
OSS
- 375 - pF
反转 转移 电容 C
RSS
- 150 - pF
内部的 流 电感 L
D
量过的 从 这
联系 screw 在 tab 至
中心 的 消逝
修改 场效应晶体管
标识 表明 这 在-
ternal 设备
Inductances
- 3.5 - nH
量过的 从 这 流
含铅的, 6mm (0.25in) 从
包装 至 中心 的 消逝
- 4.5 - nH
内部的 源 电感 L
S
量过的 从 这 源
含铅的, 6mm (0.25in) 从
标头 至 源 使牢固结合
垫子
- 7.5 - nH
热的 阻抗 接合面 至 情况 R
θ
JC
- - 1.0
o
c/w
热的 阻抗 接合面 至 包围的 R
θ
JA
典型 插座 挂载 - - 62.5
o
c/w
L
S
L
D
G
D
S
irf9640, rf1s9640sm
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