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资料编号:320319
 
资料名称:FA4F3P
 
文件大小: 685.83K
   
说明
 
介绍:
RESISTOR BUILT-IN TYPE NPN TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 d16493ej2v0ds
8
FA4xxx
[FA4L3N]
典型 特性 (t
一个
= 25°c)
集电级 至 发射级 电压 vs.
集电级 电流
20
0
10
20
30
40
50
46810
V
CE
- 集电级 至 发射级 电压 - v
集电级 电流 vs.
集电级 至 发射级 电压
I
C
- 集电级 电流 - 毫安
I
B
= 380 一个
µ
330 一个
µ
280 一个
µ
230 一个
µ
180 一个
µ
130 一个
µ
80 一个
µ
V
CE
- 集电级 至 发射级 电压 - v
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0 20406080100
V
= 5.0 v 10.0 v
15.0 v
I
C
- 集电级 电流 - 毫安
直流 电流 增益 vs. 集电级 电流 集电级 饱和 电压 vs.
集电级 电流
h
FE
- 直流 电流 增益
1
10
100
1000
1 10 100
V
CE
= 5.0 v
T
一个
= 75°c
25°C
25°C
I
C
- 集电级 电流 - 毫安
V
ce(sat)
- 集电级 饱和 电压 - v
0.01
0.1
1
1 10 100
I
C
= 10 I
B
T
一个
= 75°c
25°C
25°C
I
C
- 集电级 电流 - 毫安
输入 电压 vs. 集电级 电流 集电级 电流 vs. 输入 电压
V
- 输入 电压 - v
0.1
1
10
100
1 10 100
V
CE
= 0.2 v
T
一个
=
25°C
25°C
75°C
I
C
- 集电级 电流 - 毫安
I
C
- 集电级 电流 -
µ
一个
1
10
100
1000
0.4 0.6 0.8 1 1.2
V
CE
= 5.0 v
25°C
25°CT
一个
= 75°c
V
- 输入 电压 - v
resister vs. 包围的 温度
r - resister - k
0
4
8
12
16
20
-25 0 25 50 75 100
R
2
R
1
T
一个
- 包围的 温度 - °c
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