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资料编号:320750
 
资料名称:FAN5009MX
 
文件大小: 167.94K
   
说明
 
介绍:
Dual Bootstrapped 12V MOSFET Driver
 
 


: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
产品 规格 FAN5009
rev. 1.0.5 7/22/04
9
热的 仔细考虑
总的 设备 消耗:
在哪里 p
Q
代表 安静的 电源 消耗:
在哪里 f
SW
是 切换 频率 (在 khz).
P
R
是 电源 dissipated 在 这 自举 rectifier:
在哪里 q
G1
是 总的 门 承担 的 这 upper 场效应晶体管 (q1) 为
它’s 应用 v
GS
.
V
F
为 这 应用 i
f(avg)
能 是 graphically 决定
使用 这 数据手册 曲线, 在哪里:
P
HDRV
代表 内部的 电源 消耗 的 这 upper
场效应晶体管 驱动器.
在哪里 p
h(r)
和 p
h(f)
是 内部的 dissipations 为 这
rising 和 下落 edges, 各自:
在哪里:
作 描述 在 eq. 8 和 9 在之上, 这 总的 电源 consumed
在 驱动 这 门 是 分隔 在 份额 至 这 抵制
在 序列 和 这 场效应晶体管's 内部的 门 node 作 显示
在下:
图示 5. 驱动器 消耗 模型
R
G
是 这 polysilicon 门 阻抗, 内部的 至 这 场效应晶体管.
R
E
是 这 外部 门 驱动 电阻 执行 在 许多
设计. 便条 那 这 介绍 的 r
E
能 减少 驱动器
电源 消耗, 但是 excess r
E
将 导致 errors 在 这
“adaptive 门 drive” 电路系统. 为 更多 信息 请
谈及 至 仙童 app 便条 一个-6003, “shoot-through” 在
同步的 buck 转换器.
P
LDRV
是 消耗 的 这 更小的 场效应晶体管 驱动器.
在哪里 p
h(r)
和 p
h(f)
是 内部的 dissipations 为 这
rising 和 下落 edges, 各自:
在哪里:
布局 仔细考虑
使用 这 下列的 一般 指导原则 当 designing 打印
电路 boards (看 计算数量 6 和 7):
1. 查出 输出 这 高-电流 paths 和 使用 短的, 宽
(>25 mil) 查出 至 制造 这些 连接.
2. 连接 这 pgnd 管脚 的 这 fan5009 作 关闭 作
可能 至 这 源 的 这 更小的 场效应晶体管.
3. 这 v
CC
绕过 电容 应当 是 located 作 关闭 作
可能 至 v
CC
和 pgnd 管脚.
4. 使用 vias 至 其它 layers 当 可能 至 maximize
热的 传导 away 从 这 ic.
图示 6. 外部 组件 placement
推荐 为 so8 包装 (不 至 规模)
P
D
P
Q
P
R
P
HDRV
P
LDRV
++ +=
(3
)
P
Q
V
CC
4ma + 0.036 F
SW
100
()[]×
=
(4)
P
R
V
F
F
SW
×
Q
G1
×
=
(5)
I
F AVG
()
F
SW
Q
G1
×
=
(6
)
P
HDRV
P
HR
()
P
HF
()
+=
(7)
P
HR
()
P
Q1
R
HUP
R
HUP
R
E
R
G
++
----------------------------------------
×
=
(8)
P
HF
()
P
Q1
R
HDN
R
HDN
R
E
R
G
++
-----------------------------------------
×
=
(9)
P
Q1
1
2
---
Q
×
G1
V
GS Q1
()
F
SW
×
×
=
(10)
HDRV
Q1
G
R
G
R
E
R
HUP
激励
SW
R
HDN
S
P
LDRV
P
LR
()
P
LF
()
+=
(11)
P
LR
()
P
Q2
R
LUP
R
LUP
R
E
R
G
++
----------------------------------------
×
=
(12)
P
LF
()
P
Q2
R
LDN
R
HDN
R
E
R
G
++
-----------------------------------------
×
=
(13)
P
Q2
1
2
---
Q
×
G2
V
GS Q2
()
F
SW
×
×
=
(14)
1
2
3
4
8
7
6
5
C
激励
C
VCC
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