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资料编号:321188
 
资料名称:FAN5236MTC
 
文件大小: 199.13K
   
说明
 
介绍:
Dual Mobile-Friendly DDR / Dual-output PWM Controller
 
 


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FAN5236 产品 规格
rev. 1.1.7 4/4/03
11
hysteretic 模式
相反地, 这 转变 从 hysteretic 模式 至 pwm
模式 occurs 当 这 sw node 是 负的 为 8 consecutive
循环.
一个 sudden 增加 在 这 输出 电流 将 也 导致 一个
改变 从 hysteretic 至 pwm 模式. 这个 加载 增加
导致 一个 instantaneous decrease 在 这 输出 电压 预定的 至
这 电压 漏出 在 这 输出 电容 等效串联电阻. 如果 这 加载
导致 这 输出 电压 (作 提交 在 vsns) 至 漏出
在下 这 hysteretic 规章制度 水平的 (20mv 在下 vref),
这 模式 是 changed 至 pwm 在 这 next 时钟 循环.
在 hysteretic 模式, 这 pwm 比较器 和 这 错误
amplifier 那 提供 控制 在 pwm 模式 是 inhibited
和 这 hysteretic 比较器 是 使活动. 在 hysteretic
模式 这 低 一侧 场效应晶体管 是 运作 作 一个 同步的
rectifier, 在哪里 这 电压 横过 ( v
ds(在)
) 它 是 监控,
和 它 是 切换 止 当 v
ds(在)
变得 积极的 (电流
flowing 后面的 从 这 加载) 准许 这 二极管 至 块
反转 传导.
这 hysteretic 比较器 initiates 一个 pfm 信号 至 转变 在
hdrv 在 这 rising 边缘 的 这 next 振荡器 时钟, 当
这 输出 电压 (在 vsns) falls 在下 这 更小的 门槛
(10mv 在下 vref) 和 terminates 这 pfm 信号 当
vsns rises 在 这 高等级的 门槛 (5mv 在之上 vref).
这 切换 频率 是 primarily 一个 函数 的:
1. 展开 在 这 二 hysteretic 门槛
2. I
加载
3. 输出 inductor 和 电容 等效串联电阻
一个 转变 后面的 至 pwm (持续的 传导 模式 或者
ccm) 模式 occurs 当 这 inductor 电流 rises suffi-
ciently 至 停留 积极的 为 8 consecutive 循环. 这个 occurs
当:
在哪里
V
HYSTERESIS
= 15mv 和 等效串联电阻 是 这 相等的
序列 阻抗 的 c
输出
.
因为 的 这 不同的 控制 mechanisms, 这 值 的 这
加载 电流 在哪里 转变 在 ccm 运作 takes 放置
是 典型地 高等级的 对照的 至 这 加载 水平的 在 这个 transi-
tion 在 hysteretic 模式 occurs. hysteretic 模式 能 是
无能 用 设置 这 fpwm
管脚 低.
I
加载 CCM
()
V
HYSTERESIS
2等效串联电阻
---------------------------------------=
(3)
图示 11. 电流 限制 / summing 电路
LDRV
PGND
ISNS
在 +
在 ñ
2.5v
ilim det.
R
SENSE
SS
1.5m
C
SS
VSEN
v 至I
涉及 和
软 开始
17pf
i1b =
ISNS
9
i2 =
4 *ILIM
3
ILIM
0.9v
R
ILIM
ilim mirror
s/h
至 pwm coMP
4.14k
300K
i1a =
ISNS
0.17pf
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