首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:321188
 
资料名称:FAN5236MTC
 
文件大小: 199.13K
   
说明
 
介绍:
Dual Mobile-Friendly DDR / Dual-output PWM Controller
 
 


: 点此下载
  浏览型号FAN5236MTC的Datasheet PDF文件第11页
11
浏览型号FAN5236MTC的Datasheet PDF文件第12页
12
浏览型号FAN5236MTC的Datasheet PDF文件第13页
13
浏览型号FAN5236MTC的Datasheet PDF文件第14页
14

15
浏览型号FAN5236MTC的Datasheet PDF文件第16页
16
浏览型号FAN5236MTC的Datasheet PDF文件第17页
17
浏览型号FAN5236MTC的Datasheet PDF文件第18页
18
浏览型号FAN5236MTC的Datasheet PDF文件第19页
19
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
FAN5236 产品 规格
rev. 1.1.7 4/4/03
15
输出 电容 选择
这 输出 电容 serves 二 主要的 功能 在 一个 转变-
ing 电源 供应. along 和 这 inductor 它 filters 这
sequence 的 脉冲 生产 用 这 切换器, 和 它 供应
这 加载 瞬时 电流. 这 输出 电容 需要-
ments 是 通常地 dictated 用 等效串联电阻, inductor 波纹 电流
(
i) 和 这 容许的 波纹 电压 (
v).
在 增加, 这 电容’s 等效串联电阻 必须 是 低 足够的 至 准许
这 转换器 至 停留 在 规章制度 在 一个 加载 步伐. 这
波纹 电压 预定的 至 等效串联电阻 为 这 转换器 在 图示 5 是
120mv p-p. 一些 额外的 波纹 将 呈现 预定的 至 这
电容 值 它自己:
这个 是 仅有的 关于 1.5mv 为 这 转换器 在 图示 5 和
能 是 ignored.
这 电容 必须 也 是 评估 至 承受 这 rms
电流 这个 是 大概 0.3 x (
i), 或者 关于 400ma
为 这 转换器 在 图示 5. 高 频率 解耦
电容 应当 是 放置 作 关闭 至 这 负载 作
physically 可能.
输入 电容 选择
这 输入 电容 应当 是 选择 用 它的 波纹 电流
比率.
Two-平台 转换器 情况
在 ddr 模式 (图示 4), 这 vtt 电源 输入 是 powered
用 这 vddq 输出, 因此 所有 的 这 输入 电容 rip-
ple 电流 是 生产 用 这 vddq 转换器. 一个 conserva-
tive 估计 的 这 输出
电流 必需的 为 这 2.5v 调整器 是:
作 一个 例子, 如果 平均 i
VDDQ
是 3a, 和 平均 i
VTT
1a, i
VDDQ
电流 将 是 关于 3.5a. 如果 平均 输入 volt-
age 是 16v, rms 输入 波纹 电流 将 是:
在哪里 d 是 这 职责 循环 的 这 pwm1 转换器:
因此:
双 转换器 180° phased
在 双 模式 (图示 5), 两个都 转换器 contribute 至 这
电容 输入 波纹 电流. 和 各自 转换器 运行
180° 输出 的 阶段, 这 rms 电流 增加 在 这 下列的
fashion:
这个 为 这 双 3a 转换器 的 图示 5, calculates 至:
Power 场效应晶体管 选择
losses 在 一个 场效应晶体管 是 这 总 的 它的 切换 (p
SW
) 和
传导 (p
COND
) losses.
在 典型 产品, 这 fan5236 转换器’s 输出 volt-
age 是 低 和 遵守 至 它的 输入 电压, 因此 这
更小的 场效应晶体管 (q2) 是 组织 这 全部 加载 电流 为
大多数 的 这 循环. q2 应当 因此 是 选择 至 迷你-
mize 传导 losses, 因此 selecting 一个 场效应晶体管 和
低 r
ds(在)
.
在 contrast, 这 高-一侧 场效应晶体管 (q1) 有 一个 更 shorter
职责 循环, 和 它’s 传导 丧失 将 因此 有 较少
的 一个 impact. q1, 不管怎样, sees 大多数 的 这 切换 losses,
所以 q1’s primary 选择 criteria 应当 是 门 承担.
高-一侧 losses:
图示 15 显示 一个 场效应晶体管’s 切换 间隔, 和 这
upper 图表 正在 这 电压 和 电流 在 这 流 至
源 和 这 更小的 图表 detailing v
GS
vs. 时间 和 一个
常量 电流 charging 这 门. 这 x-axis 因此 是
也 代表 的 门 承担 (q
G
) . c
ISS
= c
GD
+ c
GS
,
和 它 控制 t1, t2, 和 t4 定时. c
GD
receives 这 电流
从 这 门 驱动器 在 t3 (作 v
DS
是 下落). 这 门
承担 (q
G
) 参数 在 这 更小的 图表 是 也
specified 或者 能 是 获得 从 场效应晶体管 数据手册.
假设 切换 losses 是 关于 这 一样 为 两个都 这
rising 边缘 和 下落 边缘, q1’s 切换 losses, 出现
在 这 shaded 时间 当 这 场效应晶体管 有 电压
横过 它 和 电流 通过 它.
等效串联电阻
V
I
--------
<
(13)
V
I
C
输出
8
×
F
SW
×
-----------------------------------------=
(14)
I
REG1
I
VDDQ
I
VTT
2
------------+=
I
RMS
I
输出 最大值
()
DD
2
–=
(15)
D
V
输出
V
--------------
<
2.5
16
-------=
(16)
I
RMS
3.5
2.5
16
-------
2.5
16
-------


2
1.49一个==
(17)
I
RMS
I
RMS 1
()
2
I
RMS 2
()
2
+ 或者=
(18a)
I
RMS
I
1
()
2
D
1
D
1
2
()
I
2
()
2
D
2
D
2
2
()
+=
(18b)
I
RMS
1.4A=
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com