HT23C256
cmos 32k
×
8-位 掩饰 只读存储器
块 图解
特性
•
运行 电压 2.7v~5.5v
•
低 电源 消耗量
–
运作: 25ma 最大值 (v
CC
=5v)
10ma 最大值 (v
CC
=3v)
–
备用物品: 30
µ
一个 最大值 (v
CC
=5v)
10
µ
一个 最大值 (v
CC
=3v)
•
进入 时间:150ns 最大值 (v
CC
=5v)
250ns 最大值 (v
CC
=3v)
•
32768
×
8 位 的 掩饰 只读存储器
•
Mask 选项: 碎片 使能 ce/ce/oe1/oe1 一个nd
输出 使能 oe/
oe/nc
•
ttl 兼容 输入 和 输出
•
tristate 输出
•
全部地 静态的 运作
•
包装 类型: 28-管脚 插件/sop
一般 描述
这 ht23c256 是 一个 读-仅有的 记忆 和
高 效能 cmos 存储 设备 谁的
256k 的 记忆 是 arranged 在 32768 words
用 8 位.
为 应用 flexibility, 这 碎片 使能 和
输出 使能 控制 管脚 能 是 选择 作
起作用的 高 或者 起作用的 低. 这个 flexibility 不
仅有的 准许 容易 接口 和 大多数 microproc-
essors, 但是 也 排除 总线 contention 在
多样的 总线 微处理器 系统. 一个 addi-
tional 特性 的 这 ht23c256 是 它的 能力 至
enter 这 备用物品 模式 whenever 这 碎片 en-
能 (ce/
ce) 是 inactive, 因此 减少 电流
消耗量 至 在下 30
µ
一个. 这 结合体 的
这些 功能 制造 这 碎片 合适的 为 高
密度 低 电源 记忆 产品.
1 24th 8月 ’98
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