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i27139- 01/03
FC40SA50FK
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
g
fs
向前 跨导 23 – – S V
DS
= 50v, i
D
= 28a
Q
g
总的 门 承担 – – 270 I
D
= 40a
Q
gs
门-至-源 承担 – – 84 nC V
DS
= 400v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 – – 130 V
GS
= 10v, 看 图. 6 和 13
%
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 – 25 – V
DD
= 250v
t
r
上升 时间 – 140 – I
D
= 40a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 – 55 – R
G
= 1.0
Ω
t
f
下降 时间 – 74 – V
GS
= 10v,看 图. 10
%
C
iss
输入 电容 – 8310 – V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 – 960 – V
DS
= 25v
C
rss
反转 转移 电容 – 120 – pF ƒ = 1.0mhz, 看 图. 5
C
oss
输出 电容 – 10170 – V
GS
= 0v, v
DS
= 1.0v, ƒ = 1.0mhz
C
oss
输出 电容 – 240 – V
GS
= 0v, v
DS
= 480v, ƒ = 1.0mhz
C
oss
eff. 有效的 输出 电容 – 440 – V
GS
= 0v, v
DS
= 0v 至 480v
'
动态 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
ns
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 500 – – V V
GS
= 0v, i
D
= 250µa
∆
V
(br)dss
/
∆
T
J
损坏 电压 温度 系数 – 0.60 – v/°c 涉及 至 25°c, i
D
= 1ma
(
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗 – 0.084 0.10
Ω
V
GS
= 10v, i
D
= 24a
%
V
gs(th)
门 门槛 电压 3.0 – 5.0 V V
DS
= v
GS
, i
D
= 250µa
––50
µA
V
DS
= 500v, v
GS
= 0v
– – 250 V
DS
= 400v, v
GS
= 0v, t
J
= 125°c
门-至-源 向前 泄漏 – – 250 V
GS
= 30v
门-至-源 反转 泄漏 – – -250
nA
V
GS
= -30v
静态的 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
I
GSS
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
"
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度. (看 图. 11)
#
I
SD
≤
40a, di/dt
≤
150a/µs, v
DD
≤
V
(br)dss
,
T
J
≤
150°C
注释:
$
开始 t
J
= 25°c, l = 1.55mh, r
G
= 25
Ω
,
I
作
= 40a, dv/dt =5.5v/ns (看 图示 12a)
%
脉冲波 宽度
≤
300µs; 职责 循环
≤
2%.
'
C
oss
eff. 是 一个 fixed 电容 那 给 这 一样 charging 时间
作 c
oss
当 v
DS
是 rising 从 0 至 80% v
DSS
S
D
G
二极管 特性
一个
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 – – 40 场效应晶体管 标识
(身体 二极管) 表明 这
I
SM
搏动 源 电流 – – 160 integral 反转
(身体 二极管)
"
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压 – – 1 V T
J
= 25°c, i
S
= 40a, v
GS
= 0v
%
– 620 940 T
J
= 25°c, i
F
= 47a
di/dt = 100a/µs
%
–1421
I
RRM
反转 恢复 电流 – 38 - 一个 T
J
= 25°c
t
在
向前 转变-在 时间 intrinsic 转变-在 时间 是 negligible (转变-在 是 dominated 用 l
S
+L
D
)
t
rr
反转 恢复 时间
Q
rr
反转 恢复 承担
ns
µC
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