fdd6670as rev 一个 (x)
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流-源 avalanche 比率
(便条 2)
W
DSS
流-源 avalanche 活力 单独的 脉冲波, v
DD
= 15 v, i
D
=14A 245 mj
I
AR
流-源 avalanche 电流 14 一个
止 特性
BV
DSS
drain–source 损坏 电压 V
GS
= 0 v, i
D
= 1 毫安 30 V
∆
BV
DSS
∆
T
J
损坏 电压 温度
系数
I
D
= 10 毫安, 关联 至 25
°
C
29
mv/
°
C
V
DS
= 24 v, v
GS
= 0 v 500
µ
一个
I
DSS
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 24 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 125
°
C
6.5 毫安
I
GSS
gate–body 泄漏
V
GS
=
±
20 v, v
DS
= 0 v
±
100
nA
在 特性
(便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
, i
D
= 1 毫安 1 1.8 3 V
∆
V
gs(th)
∆
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
= 10 毫安, 关联 至 25
°
C
–3.3
mv/
°
C
R
ds(在)
静态的 drain–source
On–Resistance
V
GS
= 10 v, I
D
= 13.8 一个
V
GS
= 4.5 v, I
D
= 11.7 一个
V
GS
= 10 v, i
D
= 13.8a, t
J
= 125
°
C
6.8
8.3
9.3
8.0
10.4
11.6
m
Ω
I
d(在)
on–state 流 电流 V
GS
= 10 v, V
DS
= 5 v 50 一个
g
FS
向前 跨导 V
DS
= 15 v, I
D
= 13.8 一个 52 S
动态 特性
C
iss
输入 电容 1580 pf
C
oss
输出 电容 440 pf
C
rss
反转 转移 电容
V
DS
= 15 v, V
GS
= 0 v,
f = 1.0 mhz
170 pF
R
G
门 阻抗 V
GS
= 15 mv, f = 1.0 mhz 1.8
Ω
切换 特性
(便条 2)
t
d(在)
turn–on 延迟 时间 10 20 ns
t
r
turn–on 上升 时间 12 22 ns
t
d(止)
turn–off 延迟 时间 28 45 ns
t
f
turn–off 下降 时间
V
DS
= 15 v, I
D
= 1 一个,
V
GS
= 10 v, R
GEN
= 6
Ω
20 36 ns
t
d(在)
turn–on 延迟 时间 15 27 ns
t
r
turn–on 上升 时间 16 29 ns
t
d(止)
turn–off 延迟 时间 26 42 ns
t
f
turn–off 下降 时间
V
DS
= 15 v, I
D
= 1 一个,
V
GS
= 4.5 v, R
GEN
= 6
Ω
13 23 ns
Q
g(tot)
总的 门 承担 在 v
GS
=10v 29 40 nc
Q
g(tot)
总的 门 承担 在 v
GS
=5v 16 22 nc
Q
gs
gate–source 承担 4.6 nc
Q
gd
gate–drain 承担
V
DS
= 15 v, i
D
= 13.8 一个,
5.5 nC
drain–source 二极管 特性
V
SD
drain–source 二极管 向前
电压
V
GS
= 0 v, I
S
= 3.5 一个
(便条 2)
V
GS
= 0 v, I
S
= 7 一个
(便条 2)
0.46
0.59
0.7 v
t
rr
二极管 反转 恢复 时间
20 n
s
Q
rr
二极管 反转 恢复 承担
I
F
= 3.5 一个,
d
如果
/d
t
= 300 一个/µs
(便条 3)
15 nC
FDD6670一个S
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